透過強大的驅動電流、高 CMTI 及 SiC 與 IGBT 閘極驅動器的短暫傳播延遲，提升您的設計效率。我們的 SiC 閘極驅動器可幫助您透過快速整合短路防護與高突波抗擾性，在系統中達到穩固隔離成效。利用我們快速、穩固且可靠的驅動器，以較高 PWM 頻率切換 SiC，如此可縮減系統尺寸、重量和成本。

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IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals

探索 IGBT 與 SiC 閘極驅動器最常見問題的解決方案。

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White paper

Silicon carbide gate drivers -- a disruptive technology in power electronics (Rev. A)

若無正確的生態系統，SiC 就無法完全發揮其潛力，在本案例為閘極驅動器。閱讀關於破壞性技術及其對電力電子的影響。

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Application brief

Understanding the Short Circuit Protection for Silicon Carbide MOSFETs (Rev. C)

了解和比較 SiC MOSFET 的各種短路防護方法。

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技術資源

More literature

Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A)

此應用說明示範了為高速切換應用設計高性能閘極驅動電路的系統性方法。

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資源

閘極驅動器常見問題解答 (FAQ)

此 FAQ 頁面提供條理分明的解決方案，可針對常見閘極驅動器問題與設計挑戰提供解決方法。

White paper

Impact of an isolated gate driver (Rev. A)

本白皮書說明隔離式閘極驅動器作為電源開關功能的優點及需求。

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與閘極驅動器相關的參考設計

使用我們的參考設計選擇工具，找出最適合您的應用和參數設計。

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設計與開發資源

參考設計

用於 <100-VIN DC/DC 轉換器的功率級參考設計

此參考設計實現基於 UCC27282 120V 半橋 MOSFET 驅動器和 CSD19531 100V 功率 MOSFET 的高頻功率級設計。憑藉高效率開關和靈活的 VGS 操作範圍，此設計可減少整體閘極驅動器和傳導損耗，以達到最佳效率。此功率級設計可廣泛套用至許多空間有限的應用項目，如電信磚型電源模組，太陽能轉換器和 DC 馬達驅動。

參考設計

配備光學模擬輸入閘極驅動器，且適用於 200-480 VAC 驅動器的三相逆變器參考設計

此參考設計採用隔離式 IGBT 閘極驅動器和隔離式電流/電壓感測器，實現強化隔離式三相逆變器子系統。所使用的 UCC23513 閘極驅動器採用 6 針腳寬體封裝和 LED 光學模擬輸入，可做為現有光學隔離式閘極驅動器的針腳對針腳替代品。此設計表明，可利用所有用於驅動光學隔離式閘極驅動器的現有配置來驅動 UCC23513 輸入級。使用 AMC1300B 隔離式放大器和 DC 鏈路電壓實現基於同相分流電阻器的馬達電流感測，使用 AMC1311 隔離式放大器實現 IGBT 模組溫度感測。此設計使用 C2000™ LaunchPad™ 進行逆變器控制。

參考設計

480W、<17 mm、纖薄外型、94% 效率、快速暫態回應 AC/DC SMPS 參考設計

TIDA-01495 是一款小巧 (17 mm 高)、94.1% 峰值效率、高功率密度、通用輸入、24-V DC、480-W 輸出、消費性 AC/DC 電源供應器參考設計。此電路包含 UCC28063A 型的前端雙相交錯式轉換模式 (TM) 功率因數校正 (PFC)，可將 PFC 電感器尺寸縮減到最小，並可降低 EMI 濾波器需求。HB-LLC 隔離式 DC/DC 級由 UCC256301 混合遲滯控制 LLC 控制器所控制，可確保快速瞬態回應，進而縮減 PFC 體積及輸出電容器尺寸。PFC 級的切相技術和 LLC 級的進階叢發模式最佳化功能，有助於在 5% 負載 (230V AC) (...)