TPD4E110
- Provides System Level ESD Protection for Low-Voltage IO Interface
- IO Capacitance 0.45pF (Typ)
- IEC 61000-4-2 Level 4
- ±12kV (Contact Discharge)
- ±15kV (Air Gap Discharge)
- IEC61000-4-5 (Surge): 2.5A (8/20 µs)
- DC Breakdown Voltage 6.5V (Min)
- Ultra Low Leakage Current 1nA (Max)
- Low ESD Clamping Voltage
- Industrial Temperature Range: –40°C to 125°C
- Space Minimizing 0.8mm x 0.8mm DPW Package
The TPD4E110 is a uni-directional Electrostatic Discharge (ESD) protection device with ultra-low capacitance. The device is constructed with a central ESD clamp and features two hiding diodes per channel to reduce the capacitive loading. Each channel is rated to dissipate ESD strikes above the maximum level specified in the IEC61000-4-2 level 4 international standard. The TPD4E110's ultra-low loading capacitance makes the device ideal for protecting high-speed signal pins.
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| 重要文件 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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| 白皮書 | Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments | 2016/2/10 | ||||
| 類比設計期刊 | Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection | 2012/9/25 |
設計與開發
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開發板
ESDEVM — 適用於 ESD 二極體封裝的通用評估模組，包括 0402、0201等
靜電敏感裝置 (ESD) 評估模組 (EVM) 是我們大多數 ESD 產品組合的開發平台。此電路板配備所有傳統 ESD 元件封裝，可測試任意數量的裝置。裝置可以焊接到其相應的元件封裝上，然後進行測試。對於一般高速 ESD 二極體，會實作阻抗控制的配置以取得 S 參數並取消內嵌電路板軌跡。對於非高速 ESD 二極體，其元件封裝會包含連接至測試點的軌跡，讓您輕鬆執行 DC 測試，例如崩潰電壓、保持電壓、洩漏等。電路板配置也可以透過將訊號針腳短路到訊號所在的任何地方，讓任何裝置針腳都能輕鬆地連接到電源 (VCC) 或接地。
| 封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
|---|---|---|
| X2SON (DPW) | 4 | Ultra Librarian |
訂購與品質
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