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CSD1FNCHEVM-889

FemtoFET N-Kanal-Evaluierungsmodul

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CSD1FNCHEVM-889

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Überblick

Dieses FemtoFET N-Kanal-Evaluierungsmodul (EVM) enthält sechs Tochterkarten, von denen jede Karte eine andere FemtoFET N-Kanal-Teilenummer enthält.  Die Tochterkarten ermöglichen es dem Ingenieur, diese winzigen Bausteine einfach anzuschließen und zu testen.  Die sieben FemtoFETs reichen von 12 V bis 60 V VDS, und die Bausteine umfassen F3 (0,6 x 0,7 mm), F4 (0,6 x 1,0 mm) und F5 (0,8 x 1,5 mm).

Merkmale
  • Einfache Handhabung dieser mit Land Grid Array (LGA) verpackten Teile
  • Umfassendes Angebot an VdS- und Gehäusegrößen
  • Sieben Tochterkarten können zur Erstellung einzelner Platinen eingesetzt werden, wobei ein FET pro Tochterkarte vorhanden ist
  • FemtoFETs haben den besten Größen*Widerstand in der FET-Branche
MOSFETs
CSD13380F3 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD13383F4 — 12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 44 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD13385F5 — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD15380F3 — 20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 1460 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz
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CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N-Kanal-Evaluierungsmodul

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Typ Titel Neueste englische Version herunterladen Datum
* EVM User's guide Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM 06.12.2017
Zertifikat CSD1FNCHEVM-889 EU Declaration of Conformity (DoC) 02.01.2019

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