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CSD13385F5

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N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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Datenblatt

CSD13385F5

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Produktdetails

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² (1.49 mm × 0.73 mm)
  • Low on resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

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This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
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Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Designleitfaden FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 07.07.2016

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N-Kanal-Evaluierungsmodul

Dieses FemtoFET N-Kanal-Evaluierungsmodul (EVM) enthält sechs Tochterkarten, von denen jede Karte eine andere FemtoFET N-Kanal-Teilenummer enthält.  Die Tochterkarten ermöglichen es dem Ingenieur, diese winzigen Bausteine einfach anzuschließen und zu testen.  Die sieben FemtoFETs reichen von 12 V (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Unterstützte Produkte und Hardware
Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware
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CSD13385F5 TINA-TI Reference Design

SLPM264.TSC (531 KB) - TINA-TI-Referenzdesign
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CSD13385F5 TINA-TI Spice Model

SLPM263.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice-Modell
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CSD13385F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM240A.ZIP (3 KB) - PSpice-Modell
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Berechnungstool

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
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Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
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Referenzdesign

TIDA-010053 — Referenzdesign für energieeffiziente Optionen für Smart-Meter-Drahtlosmodule mit Einwegbatterien<

Dieses Referenzdesign zeigt drei verschiedene Stromversorgungsarchitekturen für intelligente Durchflussmesser mit Lithium-Mangandioxid (LiMnO2)-Primärbatterien und handelsüblichen Schmalbandmodulen für Anwendungen im Zusammenhang mit dem Internet der Dinge (IoT). Die drei Stromversorgungslösungen (...)
Unterstützte Produkte und Hardware
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
PICOSTAR (YJK) 3 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

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