CSD15380F3
20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 1460 mOhm, Gate-ESD-Schutz
CSD15380F3
- Ultra-low CiSS and COSS
- Ultra-low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint
- 0.73 mm × 0.64 mm
- Ultra-low profile
- 0.36-mm max height
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 20-V, 990-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. Ultra-low capacitance improves switching speeds. When used in data line applications, the low capacitance minimizes noise coupling. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
Technische Dokumentation
Design und Entwicklung
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CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N-Kanal-Evaluierungsmodul
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
Unterstützte Produkte und Hardware
Produkte
MOSFETs
FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool
Unterstützte Produkte und Hardware
Produkte
MOSFETs
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Unterstützte Produkte und Hardware
Produkte
MOSFETs
TIDA-01081 — Referenzdesign zur LED-Beleuchtungssteuerung für maschinelles Sehen
TIDM-02010 — Referenzdesign für duale Motorsteuerung mit digital verschachtelter PFC (Leistungsfaktorkorrektur) f
Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
---|---|---|
PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
- RoHS
- REACH
- Bausteinkennzeichnung
- Blei-Finish/Ball-Material
- MSL-Rating / Spitzenrückfluss
- MTBF-/FIT-Schätzungen
- Materialinhalt
- Qualifikationszusammenfassung
- Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
- Werksstandort
- Montagestandort
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Support und Schulungen
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