CSD13383F4
12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6mm, 44 mOhm, Gate-ESD-Schutz
CSD13383F4
- Low on-resistance
- Ultra low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint (0402 case size)
- 1.0 mm × 0.6 mm
- Low profile
- 0.36 mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated >2 kV HBM
- Rated >2 kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 37 mΩ, 12 V N-channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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Technische Dokumentation
Typ | Titel | Datum | ||
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* | Data sheet | CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 07 Sep 2021 |
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More literature | WCSP Handling Guide | 07 Nov 2019 | ||
EVM User's guide | Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM | 06 Dez 2017 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 07 Jul 2016 |
Design und Entwicklung
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