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CSD1FPCHEVM-890

FemtoFET P-Kanal-Evaluierungsmodul

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CSD1FPCHEVM-890

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Überblick

Dieses FemtoFET P-Kanal-EVM enthält sechs Tochterkarten, von denen jede Karte eine andere FemtoFET P-Kanal-Teilenummer enthält.  Die Tochterkarten ermöglichen es dem Ingenieur, diese winzigen Bausteine einfach anzuschließen und zu testen.  Die sechs FemtoFETs reichen von 12V bis 20V VdS, und die Bausteine umfassen F3 (0,6 x 0,7 mm), F4 (0,6 x 1,0 mm) und F5 (0,8 x 1,5 mm).

Merkmale
  • Einfache Handhabung dieser mit Land Grid Array (LGA) verpackten Teile
  • Umfassendes Angebot an VdS- und Gehäusegrößen
  • Sieben Tochterkarten können zur Erstellung einzelner Platinen eingesetzt werden, wobei ein FET pro Tochterkarte vorhanden ist
  • FemtoFETs haben den besten Größen*Widerstand in der FET-Branche
MOSFETs
CSD23280F3 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mΩ, Gate-ESD-Schutz CSD23285F5 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mΩ, Gate-ESD-Schutz CSD23382F4 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 76 mΩ, Gate-ESD-Schutz CSD25480F3 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25481F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25484F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, Gate-ESD-Schutz
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CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-ch Evaluation Module

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Typ Titel Neueste englische Version herunterladen Datum
* EVM User's guide Ultra-Small Footprint P-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM 06.12.2017
Zertifikat CSD1FPCHEVM-890 EU Declaration of Conformity (DoC) 02.01.2019

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