CSD25480F3
-20-V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, Gate-ESD-Schutz
CSD25480F3
- Low on-resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint
- 0.73 mm × 0.64 mm
- Low profile
- 0.36-mm max height
- Integrated ESD protection diode
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This –20-V, 110-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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Technische Dokumentation
Design und Entwicklung
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