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-20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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CSD25480F3

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 159 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 260 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.7 QGD (typ) (nC) 0.1 QGS (typ) (nC) 0.26 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 159 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 260 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.7 QGD (typ) (nC) 0.1 QGS (typ) (nC) 0.26 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –20-V, 110-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

This –20-V, 110-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-Kanal-Evaluierungsmodul

Dieses FemtoFET P-Kanal-EVM enthält sechs Tochterkarten, von denen jede Karte eine andere FemtoFET P-Kanal-Teilenummer enthält.  Die Tochterkarten ermöglichen es dem Ingenieur, diese winzigen Bausteine einfach anzuschließen und zu testen.  Die sechs FemtoFETs reichen von 12V bis 20V VdS, und die (...)

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Nicht verfügbar auf TI.com
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Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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TIDA-050039 — Referenzdesign zur Energiegewinnung aus einem einzelligen Solarpanel für li-Ionen-Batterien

Das Referenzdesign TIDA-050039 demonstriert die Verwendung des vollständig integrierten Synchron-Aufwärtswandlers TPS61089 in Kombination mit einem einzelligen Solarpaneel zum Laden einer Li-Ionen-Batterie. Ein zusätzliches Abtastnetzwerk mit maximalem Leistungspunkt (Maximum Power Point, MPP) (...)
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PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian
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