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CSD25481F4

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-20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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CSD25481F4

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 105 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 175 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.913 QGD (typ) (nC) 0.153 QGS (typ) (nC) 0.24 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 105 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 175 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.913 QGD (typ) (nC) 0.153 QGS (typ) (nC) 0.24 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 Case Size)
    • 1 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 Case Size)
    • 1 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 90-mΩ, 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 90-mΩ, 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-Kanal-Evaluierungsmodul

Dieses FemtoFET P-Kanal-EVM enthält sechs Tochterkarten, von denen jede Karte eine andere FemtoFET P-Kanal-Teilenummer enthält.  Die Tochterkarten ermöglichen es dem Ingenieur, diese winzigen Bausteine einfach anzuschließen und zu testen.  Die sechs FemtoFETs reichen von 12V bis 20V VdS, und die (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Support-Software

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Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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  • CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm
  • CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm
  • CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm
  • CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm
  • CSD19505KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm
  • CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm
  • CSD19506KCS — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm
  • CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm
  • CSD19531KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm
  • CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm
  • CSD19532KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 5,6 mOhm
  • CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm
  • CSD19533KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm
  • CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm
  • CSD19534KCS — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm
  • CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm
  • CSD19535KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm
  • CSD19535KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm
  • CSD19536KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm
  • CSD19536KTT — N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, 100 V, Einzel-D2PAK, 2,4 mOhm
  • CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm
  • CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm
  • CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm
  • CSD22202W15 — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 12,2 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD22204W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD22205L — -8V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Single-LGA 1,2 mm x 1,2 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD22206W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 5,7 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23202W10 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 53 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23203W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 19,4 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23280F3 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23285F5 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23381F4 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 175 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD23382F4 — P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 76 mΩ, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25202W15 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 26 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25211W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25213W10 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25304W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 32,5 mOhm
  • CSD25310Q2 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 23,9 mOhm
  • CSD25402Q3A — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,9 mOhm
  • CSD25404Q3 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,5 mOhm
  • CSD25480F3 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25481F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25483F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 245 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25484F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25485F5 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz
  • CSD25501F3 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz
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