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LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
CSD23280F3
P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, – 12 V, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mΩ, Gate-ESD-Schutz
Datenblatt
CSD23280F3
- Low On-Resistance
- Ultra-Low Qg and Qgd
- High-operating drain current
- Ultra-small footprint
- 0.73 mm × 0.64 mm
- Ultra-low profile
- 0.36-mm max height
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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Technische Dokumentation
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Alle anzeigen 11 Design und Entwicklung
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Benutzerhandbuch: PDF
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| PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
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