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CSD23280F3

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-12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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CSD23280F3

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Produktdetails

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • Low On-Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • High-operating drain current
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low On-Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • High-operating drain current
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-Kanal-Evaluierungsmodul

Dieses FemtoFET P-Kanal-EVM enthält sechs Tochterkarten, von denen jede Karte eine andere FemtoFET P-Kanal-Teilenummer enthält.  Die Tochterkarten ermöglichen es dem Ingenieur, diese winzigen Bausteine einfach anzuschließen und zu testen.  Die sechs FemtoFETs reichen (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Support-Software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Unterstützte Produkte und Hardware

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25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8.8 mOhm CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.6 mOhm CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.1 mOhm CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6.3 mOhm CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.9 mOhm CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.7 mOhm CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.4 mOhm CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15.5 mOhm CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17382F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6mm, 67 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17483F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17484F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.5 mOhm CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.2 mOhm CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8.1 mOhm CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17570Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0.92 mOhm CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3.2 mOhm CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.8 mOhm CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9.4 mOhm CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,2 mOhm CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18501Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm CSD18504Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — 40-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — 60-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — 60-V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2 mOhm CSD18535KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,6 mOhm CSD18536KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 21,6 mOhm CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4 mOhm CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm CSD19505KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm CSD19506KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm CSD19531KCS — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFE, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm CSD19535KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm CSD19536KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm CSD19536KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD22202W15 — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 12,2 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD22204W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD22205L — -8V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Single-LGA 1,2 mm x 1,2 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD22206W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 5,7 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23202W10 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 53 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23203W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 19,4 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23280F3 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23285F5 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23381F4 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 175 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23382F4 — -12 V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25202W15 — -20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 26 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25211W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25213W10 — -20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25304W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 32,5 mOhm CSD25310Q2 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 23,9 mOhm CSD25402Q3A — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,9 mOhm CSD25404Q3 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,5 mOhm CSD25480F3 — -20-V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25481F4 — -20 V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25483F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 245 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25484F4 — -20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, einzelnes LGA 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25485F5 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25501F3 — -20-V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz
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Simulationsmodell

CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM175A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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Referenzdesigns

TIDA-01589 — High Fidelity, Nahfeld-Zwei-Wege-Audio-Referenzdesign mit Rauschunterdrückung und Echounterdrückung

Man machine interaction requires an acoustic interface for providing full duplex hands-free communication. In hands-free mode, part of the far-end or near-end audio signal from the speaker is coupled to the microphones. Furthermore, in noisy environments the microphones also capture ambient noise (...)
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Referenzdesigns

TIDA-01228 — Referenzdesign zur energieeffizienten Wasserdurchflussmessung mit induktiver Abtastung

This reference design demonstrates a highly-integrated solution for this application using an inductive sensing technique enabled by the CC1350 SimpleLink™ Wireless MCU and FemtoFET™ MOSFET. This reference design also provides the platform for integration of wireless communications (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian
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