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LMG3410EVM-031

LMG3410R150 600-V 150-mΩ GaN-Halbbrücken-Tochterkarte

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LMG3410EVM-031

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Überblick

Der LMG3410EVM-031 konfiguriert zwei LMG3410R150-GaN-FETs in einer Halbbrücke mit Latch-Überstromschutz und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen. Dieses EVM ist für den Betrieb mit größeren Systemen ausgelegt.

Merkmale
  • Eingangsspannungsbereich bis 600 V
  • Einfaches Open-Loop-Design für die Evaluierung der Leistung des LMG3410R150
  • Einzelner PWM-Eingang auf der Platine für PWM-Signale mit 50 ns Totzeit
  • Latched-Überstromschutzfunktion
  • Komfortable Tastkopfpunkte für Logik- und Leistungsstufenmessungen mit Oszilloskop-Tastköpfen mit kurzer Massefeder
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz
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Evaluating LMG3410R150 GaN FET power stage

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Tochterkarte

LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600-V 150-mΩ GaN half-bridge daughter card

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Wozu benötige ich dies? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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LMG34XX-BB-EVM — LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie
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LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600-V 150-mΩ GaN half-bridge daughter card

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Wozu benötige ich dies? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Designdateien

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Typ Titel Neueste englische Version herunterladen Datum
* EVM User's guide LMG3410R150-031 EVM User Guide 02.04.2019
Zertifikat LMG3410EVM-031 EU Declaration of Conformity (DoC) 23.04.2019

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