LMG3410-HB-EVM

LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN-Halbbrücken-Tochterkarte

LMG3410-HB-EVM

Jetzt bestellen

Überblick

Das LMG34XX-BB-EVM ist eine einfach zu handhabende Breakout-Platine zum Konfigurieren einer beliebigen LMG34XX-Halbbrücken-Platine (z. B. LMG3410-HB-EVM) als Synchron-Abwärtswandler.  Das EVM ermöglicht durch die Bereitstellung einer Leistungsstufe, Vorspannungsversorgung und Logikschaltung schnelle Messungen der Schaltleistung des GaN-Bausteins.  Dieses EVM kann bis zu 8 A Ausgangsstrom liefern, wenn durch geeignetes Wärmemanagement (Zwangsluft, Niederfrequenzbetrieb usw.) gewährleistet ist, dass die maximale Betriebstemperatur nicht überschritten wird.  Dieses EVM eignet sich nicht für Transientenmessungen, da es sich um eine Platine mit offenem Regelkreis handelt.
Es wird nur ein einzelner pulsweitenmodulierter Eingang benötigt. Die Erzeugung der komplementären pulsweitenmodulierten Signale und der entsprechenden Totzeit erfolgt auf der Platine.  Tastkopfpunkte ermöglichen die Messung wichtiger Wellenformen von Logik- und Leistungsstufen über Oszilloskop-Tastköpfe mit kurzen Erdungsfedern.
 
Das LMG3410-HB-EVM konfiguriert zwei GaN-FETs LMG3410R070 in einer Halbbrücke mit allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen.  Dieses EVM ist für den Betrieb mit größeren Systemen, wie zum Beispiel dem LMG34XX-BB-EVM oder einer benutzerdefinierten Leistungsstufe ausgelegt.  Durch die Bereitstellung des LMG3410R070 auf einem Hochleistungs-Layout mit komfortablen Verbindungspunkten können Betriebs- und Schaltungsmessungen schnell und einfach durchgeführt werden.

Es ist keine Pegelverschiebung oder Isolierung erforderlich, da alle erforderlichen Schaltungen enthalten sind.  Die Hilfsvorspannung kann auf zwei Arten erzeugt werden, standardmäßig mit isolierten Stromversorgungen, die nur einen einzelnen 5-V-Eingang benötigen und für den Betrieb im 12-V-Bootstrap-Modus konfigurierbar sind.  Für die Kühlkörperbaugruppe sind freiliegende Kupferkontakte vorgesehen, um eine höhere Verlustleistung zu ermöglichen.

Merkmale
  • Eingangsspannungsbereich bis 600V
  • Einfaches Design mit offenem Regelkreis für die Evaluierung der Leistung des LMG3410R070
  • Einzelner PWM-Eingang auf der Platine für PWM-Signal mit 50 ns Totzeit
  • Komfortable Tastkopfpunkte für Logik- und Leistungsstufenmessungen mit Oszilloskop-Tastköpfen mit kurzer Massefeder

  • LMG3410-HB-EVM

Digitalisolatoren
ISO7831 Dreikanaliger, verstärkter digitaler Isolator, 2/1, höchste Dämmeigenschaften

 

Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3410R070 GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG3411R050 GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video

Bestellen Sie und beginnen Sie mit der Entwicklung

Entdecken Sie unsere Hardware- und Software-Pakete sowie Dokumentation

HARDWARE- UND SOFTWARE-PAKET

Evaluating LMG3410R070 GaN FET power stage

Paket ansehen

Evaluating LMG3410R070 GaN FET power stage

close
See required tools and documentation for simulating and evaluating performance of LMG3410R070 in a power converter.
Tochterkarte

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

Required
Wozu benötige ich dies? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Hardware-Entwicklung
Evaluierungsplatine
LMG34XX-BB-EVM LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie
Vorrätig
Grenze:
Nicht vorrätig auf TI.com
Nicht verfügbar auf TI.com

LMG3410-HB-EVM LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

close
Version: null
Veröffentlichungsdatum:
Hardware-Entwicklung
Evaluierungsplatine
LMG34XX-BB-EVM LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie
Evaluierungsplatine

LMG34XX-BB-EVM — LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie

Required
Wozu benötige ich dies? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Hardware-Entwicklung
Tochterkarte
LMG3410-HB-EVM LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN-Halbbrücken-Tochterkarte LMG3410EVM-018 LMG3410R050 600-V 50-mΩ GaN-Halbbrücken-Tochterkarte LMG3410EVM-031 LMG3410R150 600-V 150-mΩ GaN-Halbbrücken-Tochterkarte LMG3411EVM-018 LMG3411R050 600-V 50-mΩ GaN mit Halbbrücken-Tochterkarte mit zyklusweiser Überstromschutz LMG3411EVM-029 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN mit Halbbrücken-Tochterkarte mit zyklusweiser Überstromschutz LMG3411EVM-031 LMG3411R150 600-V 150-mΩ GaN mit Halbbrücken-Tochterkarte mit zyklusweiser Überstromschutz
Vorrätig
Grenze:
Nicht vorrätig auf TI.com
Nicht verfügbar auf TI.com

LMG34XX-BB-EVM LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie

close
Version: null
Veröffentlichungsdatum:
Hardware-Entwicklung
Tochterkarte
LMG3410-HB-EVM LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN-Halbbrücken-Tochterkarte LMG3410EVM-018 LMG3410R050 600-V 50-mΩ GaN-Halbbrücken-Tochterkarte LMG3410EVM-031 LMG3410R150 600-V 150-mΩ GaN-Halbbrücken-Tochterkarte LMG3411EVM-018 LMG3411R050 600-V 50-mΩ GaN mit Halbbrücken-Tochterkarte mit zyklusweiser Überstromschutz LMG3411EVM-029 LMG3411R070 600-V 70-mΩ GaN mit Halbbrücken-Tochterkarte mit zyklusweiser Überstromschutz LMG3411EVM-031 LMG3411R150 600-V 150-mΩ GaN mit Halbbrücken-Tochterkarte mit zyklusweiser Überstromschutz
Dokumentation und verwandte Ressourcen

Nur diese Hardware bestellen

Tochterkarte

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Hardware-Entwicklung
Evaluierungsplatine
LMG34XX-BB-EVM LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie
Vorrätig
Grenze:
Nicht vorrätig auf TI.com
Nicht verfügbar auf TI.com

LMG3410-HB-EVM LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

close
Version: null
Veröffentlichungsdatum:
Hardware-Entwicklung
Evaluierungsplatine
LMG34XX-BB-EVM LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Technische Dokumentation

star
= Von TI ausgewählte Top-Dokumentation
Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
Alle anzeigen 3
Typ Titel Neueste englische Version herunterladen Datum
* EVM User's guide Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 03.05.2017
Zertifikat LMG3410-HB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 02.01.2019
Technischer Artikel Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 07.10.2016

Support und Schulungen

TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support.

Videos