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LMG3411EVM-018

LMG3411R050 600-V 50-mΩ GaN mit Halbbrücken-Tochterkarte mit zyklusweiser Überstromschutz

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LMG3411EVM-018

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Überblick

Das LMG3411EVM-018 konfiguriert zwei GaN-FETs LMG3411R050 in einer Halbbrücke mit Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutzfunktion und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen.  Dieses EVM ist für den Betrieb mit größeren Systemen ausgelegt.

Merkmale
  • Eingangsspannungsbereich bis 600V
  • Einfaches Open-Loop-Design für die Evaluierung der Leistung des LMG3411R050
  • Einzelner PWM-Eingang auf der Platine für PWM-Signal mit 50 ns Totzeit
  • Zyklusweise Überstromschutzfunktion
  • Komfortable Tastkopfpunkte für Logik- und Leistungsstufenmessungen mit Oszilloskop-Tastköpfen mit kurzer Massefeder
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
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Evaluating LMG3411R050 GaN FET power stage

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LMG3411EVM-018 — LMG3411R050 600-V 50-mΩ GaN mit Halbbrücken-Tochterkarte mit zyklusweiser Überstromschutz

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Wozu benötige ich dies? This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.
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LMG34XX-BB-EVM — LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie
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Wozu benötige ich dies? This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.
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Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

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* EVM User's guide Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 08.03.2019
Zertifikat LMG3411EVM-018 EU Declaration of Conformity (DoC) 12.03.2019

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