Dieses Referenzdesign enthält zwei LMG352XR0X0 650-V-GaN-FETs mit integriertem Treiber und Schutz in einer Halbbrückenkonfiguration mit allen erforderlichen Bias-Schaltungen und Logik- oder Leistungspegelverschiebungen. Leistungsstufen-, Gate-Treiber- und Hochfrequenz-Stromschleifen sind vollständig auf der Platine eingeschlossen, um die parasitäre Induktivität der Leistungsschleife zu minimieren und so das Spannungsüberschwingen zu reduzieren und die Leistung zu verbessern. Dieses Design ist für eine externe Steckerverbindung konfiguriert, um eine einfache Schnittstelle mit externen Leistungsstufen zu ermöglichen und den LMG352XR0X0 in verschiedenen Anwendungen auszuführen.
| Ausgangsspannung – Auswahlmöglichkeiten | PMP23249.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 300 |
| Vin (Max) (V) | 650 |
| Vout (Nom) (V) | 380 |
| Iout (Max) (A) | 9.4 |
| Ausgangsleistung (W) | 3572 |
| Isoliert/Nicht isoliert | Non-Isolated |
| Eingabetyp | DC |
| Topologie | Other |
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| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | Prüfbericht | Compact LMG3522R030-Q1 650-V, 30-mΩ, Half-Bridge Daughter Card Reference Design | PDF | HTML | 20.10.2022 |
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