Dieses Referenzdesign erzeugt einen geregelten 12-V-Ausgang von einem nominalen 48-V-Eingang. Dieses Design kann einen maximalen Strom von bis zu 50 A und einen maximalen Strom von 25 A pro Phase verarbeiten. Der Controller LM5137F-Q1 versorgt den LMG2100R026 Halbbrücken-Feldeffekttransistor (FET) aus Galliumnitrid (GaN) mit einem integrierten Gate-Treiber mit Schaltsignalen.
Merkmale
- Hochstromversorgung für Karosserieelektronik- und Beleuchtungsanwendungen
- Es kommt zu einem Spitzen-Wandlungswirkungsgrad von 95 % bis 97 % im Eingangsspannungsbereich von 36 V bis 60 V
- LM5137F-Q1 bietet zweiphasige Steuerung und einen Gate-Treiber in einem einzigen integrierten Schaltkreis
- GaN-Schalter mit Top-Side-Kühlung und Kühlkörper
- EMI-Eingangsfilter (EMI, elektromagnetische Interferenzen)