Berechnungstool
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG2100R026
Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ
Datenblatt
LMG2100R026
- Integrated half-bridge GaN FETs and driver
- 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
- Package optimized for easy PCB layout
- High slew rate switching with low ringing
- 5V external bias power supply
- Supports 3.3V and 5V input logic levels
- Gate driver capable of up to 10MHz switching
- Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
- Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
- Supply rail undervoltage for lockout protection
- Low power consumption
- Exposed top QFN package for top-side cooling
- Large GND pad for bottom-side cooling
The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.
GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.
The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.
The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.
Technische Dokumentation
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Alle anzeigen 2 | Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Datum |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG2100R026 100V, 53A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 31 Mär 2025 |
| Application brief | Application of GaN FET in Humanoid Robots | PDF | HTML | 03 Jan 2025 |
Design und Entwicklung
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Evaluierungsplatine
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Design guide: PDF
Referenzdesigns
TIDA-010949 — 600-W-Solarstromoptimierer auf GaN-Basis mit drahtgebundener und drahtloser Kommunikation – Referenz
Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um einen Solarstromoptimierer, der Eingangsspannungen bis zu 80 V und Ausgangsspannungen bis zu 80 V unterstützen und Ausgangs- und Eingangsströme bis zu 18 A liefern kann. Das Design verwendet einen konfigurierbaren Abwärts-/Aufwärtswandler mit vier (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns
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Test report: PDF
Referenzdesigns
PMP31306 — Referenzdesign für GaN-basierten Zweiphasen-Aufwärtswandler für Audioanwendungen der Klasse H
Bei diesem Design handelt es sich um einen zweiphasigen Aufwärtswandler für den Automobilbereich für Klasse-H-Audioanwendungen mit Galliumnitrid (GaN)-Halbbrücken LMG2100R026, der eine analoge oder digitale Ausgangsspannungsverfolgung bietet. Die Ausgangsleistung beträgt 1000 W bei einer (...)
Test report: PDF
| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| UNKNOWN (VBN) | 16 | Ultra Librarian |
| VQFN-FCRLF (VBN) | 18 | Ultra Librarian |
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