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Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG2100R026

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Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ

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Datenblatt

LMG2100R026

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Produktdetails

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (VBN) 16 See data sheet VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm² 7 x 4.5
  • Integrated half-bridge GaN FETs and driver
  • 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling
  • Integrated half-bridge GaN FETs and driver
  • 93V continuous, 100V pulsed voltage rating
  • Package optimized for easy PCB layout
  • High slew rate switching with low ringing
  • 5V external bias power supply
  • Supports 3.3V and 5V input logic levels
  • Gate driver capable of up to 10MHz switching
  • Excellent propagation delay (33ns typical) and matching (2ns typical)
  • Internal bootstrap supply voltage clamping to prevent GaN FET overdrive
  • Supply rail undervoltage for lockout protection
  • Low power consumption
  • Exposed top QFN package for top-side cooling
  • Large GND pad for bottom-side cooling

The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

The LMG2100R026 device is a 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage, with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.

GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have zero reverse recovery and very small input capacitance CISS and output capacitance COSS. The driver and the two GaN FETs are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG2100R026 device is available in a 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.

The TTL logic compatible inputs can support 3.3V and 5V logic levels regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.

The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG2100R026 100V, 53A GaN Half-Bridge Power Stage datasheet (Rev. A) PDF | HTML 31 Mär 2025
Application brief Application of GaN FET in Humanoid Robots PDF | HTML 03 Jan 2025

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

BOOSTXL-LMG2100-MD — Evaluierungsmodul für Aufwärtswandler LMG2100

Das Evaluierungsmodul (EVM) BOOSTXL-LMG2100-MD implementiert einen GaN-Inverter mit präziser Inline-Shunt-basierter Phasenstrommessung zur präzisen Steuerung von Präzisionsantrieben wie Servoantrieben. Der EVM bietet eine TI BoosterPack™ kompatible Schnittstelle zur Verbindung mit einem C2000™ MCU (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

BP-AMC0106-LMG-MD — BP-AMC0106-LMG-MD – Evaluierungsmodul

Das Evaluierungsmodul (EVM) BP-AMC0106-LMG-MD ist ein fortschrittlicher, auf Galliumnitrid (GaN) basierender Inverter mit präziser Shunt-basierter isolierter Phasenstrommessung mit AMC0106M05-Delta-Sigma-Modulatoren. Diese Technologie ermöglicht die exakte Steuerung von hochpräzisen Antrieben, (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
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Evaluierungsplatine

LMG2100EVM-097 — LMG2100R026 – Evaluierungsmodul

Die LMG2100EVM-097 ist eine kompakte, einfach zu handhabende Leistungsstufe mit externem PWM-Signal. Die Platine kann als Abwärtswandler, Aufwärtswandler oder eine andere Wandlertopologie mit einer Halbbrücke konfiguriert werden. Das Evaluierungsmodul enthält ein Halbbrücken-Leistungsmodul (...)
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2100R026 — Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ LMG2100R044 — 100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG2610 — GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2640 — 650 V 105 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2650 — 650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2652 — 650 V, 140 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2656 — 650 V 230 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3410R050 — GaN, 600 V. 50 mΩ, Treiber und Schutz integriert LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3425R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus LMG3425R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus LMG3426R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung LMG3426R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3427R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom LMG3427R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstromerkennung LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3522R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3526R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu LMG3527R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom LMG5200 — GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
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Referenzdesigns

TIDA-010954 — Referenzdesign eines GaN-basierten, einphasigen 600-W-Zyklokonverters

Dieses Referenzdesign implementiert einen bidirektionalen, einstufigen DC-AC-Inverter mit 600 W auf der Basis der Zyklokonverter (AC-DAB)-Topologie und GaN-Leistungsstufen von TI. Das Design unterstützt bis zu 60 V und ± 16 A auf der Gleichstromseite sowie 230 VAC und 2,6 A auf einphasigen Seite. (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

TIDA-010949 — 600-W-Solarstromoptimierer auf GaN-Basis mit drahtgebundener und drahtloser Kommunikation – Referenz

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um einen Solarstromoptimierer, der Eingangsspannungen bis zu 80 V und Ausgangsspannungen bis zu 80 V unterstützen und Ausgangs- und Eingangsströme bis zu 18 A liefern kann. Das Design verwendet einen konfigurierbaren Abwärts-/Aufwärtswandler mit vier (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

PMP23591 — Referenzdesign für Zweiphasen-Automobil-Abwärtswandler mit GaN-Schaltern, 20–60 VIN, 600 W

Dieses Referenzdesign erzeugt einen geregelten 12-V-Ausgang von einem nominalen 48-V-Eingang. Dieses Design kann einen maximalen Strom von bis zu 50 A und einen maximalen Strom von 25 A pro Phase verarbeiten. Der Controller LM5137F-Q1 versorgt den LMG2100R026 Halbbrücken-Feldeffekttransistor (FET) (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

PMP31306 — Referenzdesign für GaN-basierten Zweiphasen-Aufwärtswandler für Audioanwendungen der Klasse H

Bei diesem Design handelt es sich um einen zweiphasigen Aufwärtswandler für den Automobilbereich für Klasse-H-Audioanwendungen mit Galliumnitrid (GaN)-Halbbrücken LMG2100R026, der eine analoge oder digitale Ausgangsspannungsverfolgung bietet. Die Ausgangsleistung beträgt 1000 W bei einer (...)
Test report: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
UNKNOWN (VBN) 16 Ultra Librarian
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

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Beinhaltete Information:
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Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

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