Dieses Referenzdesign verwendet einen strahlungstoleranten TPS7H5020-SEP-Pulsweitenmodulations-(Pulse-Width Modulation, PWM)-Controller und einen strahlungstoleranten TPS7H6005-SEP 200-V-GaN-Halbbrücken-Gate-Treiber, um eine hocheffiziente synchrone Forward-Topologie zu schaffen. Um eine genaue, direkte Erfassung der Ausgangsspannung zu ermöglichen und eine hohe Schleifenbandbreite zu erreichen, wird der PWM-Controller auf der Sekundärseite platziert. Die kapazitiv isolierten TX- und RX-Pegelumsetzer, die sich innerhalb des Halbbrücken-Gate-Treibers befinden, übertragen die PWM-Wellenform von der sekundären zur primären Seite, wobei die elektrische Isolierung aufrechterhalten bleibt.
Merkmale
- Über 90 % Wirkungsgrad beim Betrieb mit mittlerer und Volllast
- Galvanische 200-V-Isolierung durch den Halbbrücken-Gate-Treiber
- Zweilagige Leiterplatte, 55 mm x 45 mm Designgröße
- Gan-FETs und Synchrongleichrichtung
- Pin-zu-Pin-Populationsoptionen in Kunststoff für strahlungstolerante oder strahlungsfeste Konfigurationen
- Strahlungstolerant (TID 50 krad, SSE-Immunität gegen 43 MeV×cm²/mg: TPS7H5020-SEP und TPS7H6005-SEP)
- Strahlungsfest (TID 100 krad, SEE-Immunität gegen 75 MeV×cm²/mg: TPS7H5020-SP und TPS7H6005-SP)