Dieses Referenzdesign stellt ein Designbeispiel für einen IR-LED-Treiber für Subsysteme für photoelektrische Messungen bereit. Das beschriebene Subsystem enthält einen Spannungs-Strom-Wandler auf der Basis eines Operationsverstärkers (OpAmp) und eines MOSFET-Transistors für den Baustein des aktiven Durchlasses, um die Grundlage einer genauen und programmierbaren Stromsenkenfunktion zu bilden. Die Verwendung des MOSFET-Transistors in diesem Schaltkreis bietet mehrere Vorteile, die beschrieben werden, und vor allem die Möglichkeit, eine gute Stromregelung in batteriebetriebenen Niederspannungs-Systemen bereitzustellen. Ähnlich ermöglichen die hohe Eingangsimpedanz und die hohe Open-Loop-Verstärkung des Operationsverstärkers bei der Rückkopplung des Schaltkreises eine flache Antwort über die Temperatur und minimale Abweichungen des Ausgangsstroms aufgrund von Änderungen der Versorgungsspannung.
Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.
Laden Sie sich sofort einsetzbare Systemdateien herunter, um Ihren Designprozess zu beschleunigen.
Überblick über Referenzdesigns und verifizierte Leistungstestdaten
Vollständige Liste mit Designkomponenten, Referenz-Bezeichnern und Hersteller-/Teilenummern
Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten
Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.
| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | Designleitfaden | Low Voltage IR LED Driver Ref Design for Photoelectric Measurement Subsystems | 17.08.2018 |
Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.
Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support.