Dieses Design demonstriert eine Galliumnitrid (GaN)-Feldeffekttransistor (FET)-Leistungsstufe mit 36 V und 50 A zur Ansteuerung eines dreiphasigen bürstenlosen Gleichstrommotors in kabellosen Werkzeugen, die von einem 5-Zellen-Li-Ionen-Akku auf einen 10-Zellen-Akkupack betrieben werden. Dieses Referenzdesign verwendet den LMG3100R017 GaN-FET mit integriertem GaN-FET-Antrieb, um die Effizienz und Leistung des Motorsteuerungssystems zu verbessern. Zusätzlich bietet das Design ein TI BoosterPack™-Plugin-Modul, das mit einer 3,3-V-E/A-Schnittstelle zum Anschluss an ein C2000™ MCU LaunchPad™-Entwicklungskit oder ein MSPM0 MCU LaunchPad-Entwicklungskit zur schnellen und einfachen Leistungsbewertung der GaN-Technologie kompatibel ist.
Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.
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| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
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| * | Designleitfaden | 36V 50A Three-Phase GaN Inverter Reference Design for BLDC Motor Control (Rev. A) | PDF | HTML | 21.07.2025 |
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