Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine 650-W-Inverter-Leistungsstufe für eine einphasige Niederfrequenz-USV (Transformator-basiert), die mit einer 12-V-Batterie betrieben wird. Das Design ermöglicht einen niedrigen Formfaktor und eine hocheffiziente Implementierung. Dabei nutzt es die Vorteile des SMD-MOSFET von TI in einem SON5x6-Gehäuse mit sehr niedrigem RDS(on) und geringer Gate-Ladung (Qg). Durch den Einsatz von zwei parallel geschalteten Bausteinen für jedes Teilstück der Vollbrücken-Leistungsstufe entfällt die Notwendigkeit eines Kühlkörpers, was die Gesamtsystemkosten senkt.
Merkmale
- Entwickelt für Standby- oder Offline-USVs von 100 VA bis 850 VA; erweiterbar auf bis zu 1,5 kVA mit zusätzlichen, parallel geschalteten FETs
- Die Lösung mit SMD-MOSFETs verbessert die Herstellbarkeit und Montage von USVs
- Kein Kühlkörper mit Verlustleistung erforderlich, somit Reduzierung der Systemkosten und Produktionszeit
- Getestet und validiert für den 100-W- bis 650-W-Betrieb mit Lampenlasten
- Typischer Wirkungsgrad von ≈ 95 %, maximaler Wirkungsgrad von > 98,5 %
- Überstrom-, Kurzschluss-, Überspannung- und Unterspannungsschutz