The LM5100A/B/C and LM5101A/B/C high-voltage gate drivers are designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100 V. The A versions provide a full 3-A of gate drive, while the B and C versions provide 2 A and 1 A, respectively. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100A/B/C) or TTL input thresholds (LM5101A/B/C).
An integrated high-voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. These devices are available in the standard SOIC-8 pin, SO PowerPAD-8 pin, and the WSON-10 pin packages. The LM5100C and LM5101C are also available in MSOP-PowerPAD-8 package. The LM5101A is also available in WSON-8 pin package.
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Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine 650-W-Inverter-Leistungsstufe für eine einphasige Niederfrequenz-USV (Transformator-basiert), die mit einer 12-V-Batterie betrieben wird. Das Design ermöglicht einen niedrigen Formfaktor und eine hocheffiziente Implementierung. Dabei nutzt es die (...)
| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (DPR) | 10 | Ultra Librarian |
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