Este diseño de referencia utiliza un controlador de modulación de ancho de pulso (PWM) de TPS7H5020-SEP tolerante a la radiación y un controlador de puerta de medio puente de GaN de 200 V TPS7H6005-SEP tolerante a la radiación para crear una topología de avance sincrónica de alta eficiencia. Para tener una detección precisa y directa de la tensión de salida y lograr un ancho de banda de bucle alto, el controlador PWM se coloca en el lado secundario. Los adaptadores de nivel TX y RX, aislados capacitivamente e integrados en el accionador de compuerta de medio puente, transfieren la forma de onda PWM del lado secundario al primario, manteniendo el aislamiento eléctrico.
Funciones
- Eficiencia por encima del 90 % a funcionamiento medio y completo
- Aislamiento galvánico de 200 V con un accionador de puerta de medio puente
- Tamaño de diseño de 55 mm x 45 mm, PCB de dos capas
- Transistores de efecto de campo de GaN y rectificación sincrónica
- Opciones de población pin a pin con encapsulado de plástico para configuraciones tolerantes o resistentes a la radiación
- Tolerante a la radiación (TID 50 krad, SEE inmune a 43 MeV × cm2/mg: TPS7H5020-SEP y TPS7H6005-SEP)
- Resistente a la radiación (TID 100 krad, SEE inmune a 75 MeV × cm2/mg: TPS7H5020-SP y TPS7H6005-SP)