Este diseño demuestra una etapa de potencia de transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 36 V y 50 A para accionar un motor de CC trifásico sin escobillas en herramientas inalámbricas que funcionan desde una batería de iones de litio de 5 celdas hasta un paquete de baterías de 10 celdas. Este diseño de referencia utiliza el FET de GaN LMG3100R017 con accionamiento GaN-FET integrado para mejorar la eficiencia y el rendimiento del sistema de control del motor. Además, el diseño ofrece una interfaz de E/S de 3.3 V compatible con el módulo enchufable BoosterPack™ de TI que puede conectarse a un kit de desarrollo MCU C2000™ LaunchPad™ o un kit de desarrollo MCU MSPM0 LaunchPad para una evaluación rápida y sencilla del rendimiento de nuestra tecnología GaN de TI.
Funciones
- El FET de GaN LMG3100R017 de 6.50 mm x 4.0 mm con controlador integrado permite una alta densidad de potencia y un diseño de la PCB sencillo
- La PWM de alta eficiencia (> pico del 99 %) de 20 kHz permite el funcionamiento a 25 °C de corriente ambiente hasta 50 A máxima sin disipador de calor, y una PWM con una eficiencia del 98.5 % a 80 kHz en una corriente máxima de 50 A
- El medio puente GaN permite el funcionamiento a frecuencias PWM más altas para ayudar a reducir el tamaño y la altura del condensador del bus de CC mediante la sustitución de los electrolíticos por condensadores cerámicos
- Las pérdidas de recuperación inversa cero reducen las oscilaciones del nodo de conmutación.
- El bajo tiempo muerto de <20 ns minimiza las distorsiones de tensión de fase
- Admite el control de motores de alta velocidad con alta frecuencia PWM
- Utiliza el muestreo de corriente de lado bajo y añade muestreo de tensión de fase para facilitar la verificación del control orientado al campo (FOC) sin sensores o el control trapezoidal sin sensores