Este diseño de referencia es una solución de controlador de compuerta aislada apta para automoción para accionar MOSFET de carburo de silicio (SiC) en configuración de medio puente. El diseño incluye dos fuentes de polarización de inserción y extracción para el controlador de compuerta aislado de doble canal respectivamente, y cada fuente proporciona una tensión de salida de +15 V y –4 V y una potencia de salida de 1 W. El controlador de compuerta puede de suministrar una corriente máxima de 4 A en la fuente y 6 A en el disipador. Implementa aislamiento reforzado y puede soportar una tensión de aislamiento máxima de 8 kV y 5.7 kV RMS y una inmunidad a transitorios de modo común (CMTI) de >100V/ns. El diseño de referencia contiene el circuito de apagado de dos niveles que protege el MOSFET de exceso de tensión durante el escenario de cortocircuito. El umbral de detección de desaturación y el tiempo de retardo para el apagado de la segunda etapa se pueden configurar. El aislador digital ISO7721-Q1 se implementa para interconectar las señales de falla y reinicio. Todo diseñado en una placa PCB de dos capas con un factor de forma compacto de 40 mm x 40 mm.
Funciones
- Solución compacta de doble canal para controlar MOSFET de SiC en configuración de medio puente
- Capacidad de accionamiento de corriente máxima de fuente de 4 A y disipador 6 V adecuada para conducir MOSFET de SiC, Si MOSFET e IGBT con frecuencia de conmutación de hasta 500 kHz
- Alimentación de polarización aislada compacta, de alta eficiencia incorporada, con salidas de 15 V y –4 V
- Apagado discreto de dos niveles para protección contra cortocircuitos, con límite de corriente ajustable y tiempo de retardo (supresión)
- Proporciona una alta CMTI de > 100 V/ns y aislamiento reforzado de tensiones pico de 8 kV y RMS de 5.7 kV