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CSD17313Q2

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 32 mOhm

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CSD17318Q2 ACTIVO MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm This product has lower resistance and a lower price.

CSD17313Q2

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Detalles del producto

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 32 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 2.1 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 19 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 32 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 2.1 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 19 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DQK) 6 4 mm² 2 x 2
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • DC-DC Converters
    • Battery and Load Management Applications

All other trademarks are the property of their respective owners
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • DC-DC Converters
    • Battery and Load Management Applications

All other trademarks are the property of their respective owners

This 30-V, 24-mΩ, 2-mm × 2-mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5-V gate drive applications. The 2-mm × 2-mm SON offers excellent thermal performance for the size of the package.

This 30-V, 24-mΩ, 2-mm × 2-mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5-V gate drive applications. The 2-mm × 2-mm SON offers excellent thermal performance for the size of the package.
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Documentación técnica

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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
* Data sheet CSD17313Q2 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. E) PDF | HTML 30 sep 2015
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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31 may 2022
Selection guide Power Management Guide 2018 (Rev. R) 25 jun 2018
Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16 nov 2011

Diseño y desarrollo

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Calculadora de pérdida de potencia MOSFET para aplicaciones de rectificador sincrónico
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WSON (DQK) 6 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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