Este diseño de referencia implementa un diseño de etapa de potencia de varios MHz basado en el conductor GaN de medio puente LMG1210 y los transistores de movilidad de alta electrónica (HEMT) de potencia de GaN. Con interruptores altamente eficientes y ajuste flexible del tiempo muerto, este diseño puede mejorar significativamente la densidad de potencia al tiempo que consigue una buena eficiencia, así como un amplio ancho de banda de control. Este diseño de etapa de potencia se puede aplicar ampliamente a muchas aplicaciones con limitaciones de espacio y respuesta rápida que requieren, como alimentación de telecomunicaciones 5G, servidores y fuentes de alimentación industriales.
Se desarrolló una placa completamente integrada únicamente para pruebas y validación de rendimiento y no está disponible para la venta.
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Descripción general del diseño de referencia y datos de las pruebas de rendimiento verificadas
Descripción detallada del diseño para la instalación de componentes
Lista completa de componentes de diseño, designadores de referencia y números de fabricantes/piezas
Archivos para modelos 3D o dibujos 2D de componentes de IC
Fichero de diseño que contiene información sobre la capa física de la PCB de diseño
Archivo de trazado de capas de PCB para generar el trazado del diseño de PCB
Diagrama esquemático detallado del diseño y los componentes
Incluye productos de TI en el diseño y posibles alternativas.
| Tipo | Título | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha | ||
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| * | Guía de diseño | Multi-MHz GaN Power Stage Reference Design for High-Speed DC/DC Converters | 26/02/2018 |
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