Herramienta de cálculo
LMG1210
Controlador de puerta de medio puente de 1.5 A, 3 A y 200 V con UVLO de 5 V y tiempo muerto programa
Hoja de datos
LMG1210
- Up to 50-MHz operation
- 10-ns typical propagation delay
- 3.4-ns high-side to low-side matching
- Minimum pulse width of 4 ns
- Two control input options
- Single PWM input with adjustable dead time
- Independent input mode
- 1.5-A peak source and 3-A peak sink currents
- External bootstrap diode for flexibility
- Internal LDO for adaptability to voltage rails
- High 300-V/ns CMTI
- HO to LO capacitance less than 1 pF
- UVLO and overtemperature protection
- Low-inductance WQFN package
The LMG1210 is a 200-V, half-bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) driver designed for ultra-high frequency, high-efficiency applications that features adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4-ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. This part also features an internal LDO which ensures a gate-drive voltage of 5-V regardless of supply voltage.
To enable best performance in a variety of applications, the LMG1210 allows the designer to choose the optimal bootstrap diode to charge the high-side bootstrap capacitor. An internal switch turns the bootstrap diode off when the low side is off, effectively preventing the high-side bootstrap from overcharging and minimizing the reverse recovery charge. Additional parasitic capacitance across the GaN FET is minimized to less than 1 pF to reduce additional switching losses.
The LMG1210 features two control input modes: Independent Input Mode (IIM) and PWM mode. In IIM each of the outputs is independently controlled by a dedicated input. In PWM mode the two complementary output signals are generated from a single input and the user can adjust the dead time from 0 to 20 ns for each edge. The LMG1210 operates over a wide temperature range from –40°C to 125°C and is offered in a low-inductance WQFN package.
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Placa de evaluación
LMG1210EVM-012 — Módulo de evaluación LMG1210 de circuito abierto de medio puente
El LMG1210EVM-012 está diseñado para evaluar el conductor de medio puente de 200 V y LMG1210 Megahercios para FET de GaN. Este EVM consta de dos FET de nitruro de galio configurados en un medio puente impulsado por un único LMG1210. No hay ningún controlador en la placa.
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| WQFN (RVR) | 19 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
Información incluida:
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
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- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
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