LMG1210EVM-012

LMG1210 ハーフブリッジ開ループの評価モジュール

LMG1210EVM-012

購入

概要

LMG1210EVM-012 は、GAN FET 向けの LMG1210 メガヘルツ 200V ハーフ・ブリッジ・ドライバを評価する目的で設計されています。この EVM は、単一の LMG1210 によって駆動される、ハーフ・ブリッジ構成の 2 個の GaN(窒化ガリウム)FET によって形成されています。ボード上にコントローラは実装されていません。

特長
  • ドライバの高周波対応を実証
  • ドライバの高い CMTI 耐性を実証
  • ドライバの優れた遅延特性、マッチング、強度を実証
  • デッドタイム・ブロック機能と、効率に対する望ましい影響を実証
  • これはご注文可能な PCB(ハードウェア)であり、Class-D オーディオ、エンベロープ追跡、高周波 DC/DC の各アプリケーションで使用するレーザー向けのドライバ段を示します。
ハーフ・ブリッジ・ドライバ
LMG1210 5V UVLO とプログラマブル・デッドタイム機能搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.5A、3A、200V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

購入と開発の開始

評価ボード

LMG1210EVM-012 — LMG1210 ハーフブリッジ開ループの評価モジュール

TI.com で取り扱いなし
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

設計ファイル

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG1210-HB-EVM User's Guide 2018年 1月 29日
データシート LMG1210 デッドタイム調整可能な 200V、1.5A、3A ハーフ・ブリッジ MOSFET および GaN FET ドライバ、最大 50MHz のアプリケーション向け データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版をダウンロード (Rev.D) PDF | HTML 2020年 2月 6日
証明書 LMG1210EVM-012 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日

サポートとトレーニング

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