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LMG1210

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5V UVLO とプログラマブル デッドタイム機能搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.5A、3A、200V、ハーフブリッジ ゲート ドライバ

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Bootstrap supply voltage clamp, Dead time control, Internal LDO, Resistor-controllable deadtime Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Bootstrap supply voltage clamp, Dead time control, Internal LDO, Resistor-controllable deadtime Driver configuration Half bridge
WQFN (RVR) 19 12 mm² (4 mm × 3 mm)
  • 最大 50MHz で動作
  • 10ns (標準値) の伝搬遅延
  • 3.4ns のハイサイド - ローサイド間マッチング
  • 最小パルス幅：4ns
  • 2 つの制御入力オプション
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 独立入力モード
  • 1.5A ピーク・ソースおよび 3A ピーク・シンク電流
  • 外部ブートストラップ・ダイオードによる柔軟性
  • 内部 LDO による電圧レールへの適応性
  • 高い CMTI：300V/ns
  • HO から LO への容量が 1pF 未満
  • UVLO および過熱保護
  • 低インダクタンスの WQFN パッケージ
  • 最大 50MHz で動作
  • 10ns (標準値) の伝搬遅延
  • 3.4ns のハイサイド - ローサイド間マッチング
  • 最小パルス幅：4ns
  • 2 つの制御入力オプション
    • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
    • 独立入力モード
  • 1.5A ピーク・ソースおよび 3A ピーク・シンク電流
  • 外部ブートストラップ・ダイオードによる柔軟性
  • 内部 LDO による電圧レールへの適応性
  • 高い CMTI：300V/ns
  • HO から LO への容量が 1pF 未満
  • UVLO および過熱保護
  • 低インダクタンスの WQFN パッケージ

超高周波数高効率アプリケーション用に設計された LMG1210 は、調整可能なデッドタイム機能、非常に小さい伝播遅延、3.4ns のハイサイドとローサイドのマッチングといったシステム効率を最適化する特長を備えた、200V のハーフ・ブリッジ MOSFET および窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) ドライバです。この製品は、電源電圧にかかわらず 5V の電圧で確実にゲートを駆動する LDO も備えています。

各種のアプリケーションで最高の性能を実現するため、LMG1210 では設計者が、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電するために最適なブートストラップ・ダイオードを選択できます。ローサイドがオフのときは内部スイッチによりブートストラップ・ダイオードがオフになり、ハイサイド・ブートストラップの過充電を効果的に阻止するとともに、逆方向回復充電を最小限にします。スイッチング損失の増大を抑えるため、GaN FET 両端での追加寄生容量が 1pF 未満に最小化されています。

LMG1210 には、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIMでは、各出力が専用の入力によって別に制御されます。PWMモードでは、単一の入力から2つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド・タイムを0～20nsの範囲で調整できます。LMG1210は-40°C～125°Cの広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで供給されます。

超高周波数高効率アプリケーション用に設計された LMG1210 は、調整可能なデッドタイム機能、非常に小さい伝播遅延、3.4ns のハイサイドとローサイドのマッチングといったシステム効率を最適化する特長を備えた、200V のハーフ・ブリッジ MOSFET および窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) ドライバです。この製品は、電源電圧にかかわらず 5V の電圧で確実にゲートを駆動する LDO も備えています。

各種のアプリケーションで最高の性能を実現するため、LMG1210 では設計者が、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電するために最適なブートストラップ・ダイオードを選択できます。ローサイドがオフのときは内部スイッチによりブートストラップ・ダイオードがオフになり、ハイサイド・ブートストラップの過充電を効果的に阻止するとともに、逆方向回復充電を最小限にします。スイッチング損失の増大を抑えるため、GaN FET 両端での追加寄生容量が 1pF 未満に最小化されています。

LMG1210 には、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIMでは、各出力が専用の入力によって別に制御されます。PWMモードでは、単一の入力から2つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド・タイムを0～20nsの範囲で調整できます。LMG1210は-40°C～125°Cの広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで供給されます。
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技術資料

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設計と開発

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評価ボード

LMG1210EVM-012 — LMG1210 ハーフ ブリッジ ドーターカードの 評価基板

LMG1210EVM-012 は、GaN FET 向けの LMG1210 メガヘルツ 200V ハーフ ブリッジ ドライバを評価する目的で設計されています。この EVM は、単一の LMG1210 によって駆動される、ハーフ ブリッジ構成の 2 個の GaN（窒化ガリウム）FET によって形成されています。ボード上にコントローラは実装されていません。
ユーザー ガイド: PDF
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限：
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
シミュレーション・モデル

LMG1210 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM615C.ZIP (22427 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

LMG1210 TINA-TI Reference Design (Rev. C)

SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI リファレンス・デザイン
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

SNOM677.ZIP (7 KB) - PSpice モデル
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計算ツール

SNOR035 — LMG1210 Component Design Calculator and Schematic Review

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購入と品質

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サポートとトレーニング

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