PMP10666

低 Vin フライバック、リファレンス デザイン、高電圧レーザー フラッシュ ドライブ用

概要

PMP10666 は、非常に低い入力電圧 3.3V ~ 6V に対応した 12W の絶縁フライバック設計で、120V 出力で 100mA を供給できます。本設計では、電流モード動作の LM3481 昇圧コントローラ IC を使用しており、100KHz ~ 1MHz の任意の周波数に同期させることができます。

本設計は 2 層基板上に構築されており、BOM の少ないシンプルで低コストな設計で、絶縁出力を提供します。

特長
  • 低 Vin から 高電圧出力への低コストフライバックデザイン
  • LM3481 の実際の電力段において、非常に小さな実装面積を実現
  • 100kHz ~ 1MHz の範囲で調整可能な同期クロック周波数、および起動時の突入電流を制限
  • 3V ~ 40V の入力に対応可能な IC
出力電圧オプション PMP10666.1
Vin(最小)(V) 3.5
Vin(最大)(V) 5.5
Vout (Nom) (V) 120
Iout(最大)(V) .1
出力電力(W) 12
絶縁/非絶縁 Isolated
入力タイプ DC
トポロジ Flyback- Non Sync
ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。

設計ファイルと製品

設計ファイル

すぐに使用できるシステム ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。

TIDUAL3.PDF (204 KB)

効率グラフや試験の前提条件などを含める、このリファレンス デザインに関する試験結果

TIDUAJ6.PDF (2817 KB)

効率グラフや試験の前提条件などを含める、このリファレンス デザインに関する試験結果

TIDRGQ7.PDF (23 KB)

設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト

TIDCAU5.ZIP (186 KB)

PCB 設計の基板層に関する情報を記載した設計ファイル

TIDRGQ6.PDF (213 KB)

設計レイアウトとコンポーネントを示した詳細な回路図

製品

設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。

MOSFET

CSD18504Q5A5mm x 6mm のシングル SON 封止、6.6mΩ、40V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

データシート: PDF | HTML
シャント電圧リファレンス

TL431調整可能な高精度シャント レギュレータ

データシート: PDF | HTML
DC/DC コントローラ

LM3481昇圧、SEPIC、フライバック向け、2.97V ~ 48V、高効率コントローラ

データシート: PDF | HTML

技術資料

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上位の文書 タイプ タイトル フォーマットオプション 最新の英語版をダウンロード 日付
* 試験報告書 PMP10666 Transformer Specification (Wurth Electronik) 2015/09/14
* 試験報告書 PMP10666 Test Results 2015/09/08

サポートとトレーニング

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