PMP23598
우주 애플리케이션을 위한 75W 동기 포워드 컨버터 참조 설계
PMP23598
개요
이 레퍼런스 설계는 방사능 내성 TPS7H5020-SEP PWM 컨트롤러와 방사선 내성 TPS7H6005-SEP 200V GaN 하프브리지 게이트 드라이버를 사용하여 고효율 동기 포워드 토폴로지를 구현합니다. 출력 전압을 정확하게 직접 감지하고 높은 루프 대역폭을 달성하기 위해 PWM 컨트롤러는 2차 측에 배치됩니다. 하프브리지 게이트 드라이버 내의 커패시티브 절연 TX 및 RX 레벨 시프터는 전기적 절연을 유지하면서 PWM 파형을 2차 측에서 1차 측으로 전달합니다.
특징
- 중간 및 최대 부하 동작에서 90% 이상의 효율
- 하프 브리지 게이트 드라이버를 통한 200V 갈바닉 절연
- 55mm × 45mm 설계 크기, 2레이어 PCB
- GaN FET 및 동기 정류
- 방사능 내성 또는 방사선 경화 구성용 플라스틱 핀-투-핀 배치 옵션
- 방사능 내성 (TID 50krad, SEE 43MeV·cm²/mg에 면역: TPS7H5020-SEP 및 TPS7H6005-SEP)
- 방사능 하드 (TID 100krad, SEE 75MeV·cm²/mg에 면역: TPS7H5020-SP 및 TPS7H6005-SP)
| 출력 전압 옵션 | PMP23598.1 |
|---|---|
| 입력 전압(최소)(V) | 24 |
| 입력 전압(최대)(V) | 36 |
| Vout(공칭값) (V) | 5 |
| Iout(최대)(A) | 15 |
| 출력 전력(W) | 75 |
| 절연/비절연 | Isolated |
| 입력 유형 | DC |
| 토폴로지 | Forward- Synchronous |
완조립 보드는 테스팅과 성능 검증을 위해서만 개발되었으며 판매를 위한 것이 아닙니다.
설계 파일 및 제품
설계 파일
바로 사용 가능한 시스템 파일을 다운로드하여 설계 프로세스에 속도를 높여 보십시오.
SLVT233.PDF (1267 KB)
효율성 그래프, 테스트 전제 조건 등을 포함한 레퍼런스 디자인에 대한 테스트 결과
SLVMER1.PDF (295 KB)
설계 구성요소, 참조 지정자 및 제조업체/부품 번호의 전체 목록
제품
TI 제품을 설계 및 잠재적 대안에 포함합니다.
AC/DC 및 DC/DC 컨트롤러(외장 FET)
TPS7H5020-SEP — Radiation-tolerant 100% duty cycle PWM controller for driving MOSFET or GaN FETs
AC/DC 및 DC/DC 컨트롤러(외장 FET)
TPS7H5020-SP — MOSFET 또는 GaN FET 구동을 위한 방사능 저항, QMLP 100% 듀티 사이클 PWM 컨트롤러
기술 자료
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1개 모두 보기
| 유형 | 직함 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | 테스트 보고서 | 75W Synchronous Forward Converter Reference Design for Space Applications | PDF | HTML | 2025. 12. 11 |