TIDA-00917
단락 보호 및 전류 버퍼 기능을 갖춘 병렬 IGBT를 위한 게이트 드라이버 레퍼런스 디자인
TIDA-00917
개요
병렬 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT)는 출력 전력 정격이 높은 전력 변환 장비에 필요하며, 단일 IGBT로는 필요한 부하 전류를 제공할 수 없습니다. 이 레퍼런스 설계는 하프 브리지 구성에서 병렬 IGBT를 구동하기 위해 강화된 절연 IGBT 게이트 제어 모듈을 구현합니다. IGBT를 병렬로 연결하면 게이트 드라이버(구동 강도 부족)와 시스템 수준에서 두 IGBT 모두에서 동일한 전류 분배를 유지하는 동시에 더 빠른 켜기/끄기를 보장해야 하는 문제가 발생합니다. 이 레퍼런스 설계는 불포화 감지 및 소프트 턴오프와 같은 기능이 통합된 강화 절연 IGBT 게이트 드라이버를 사용하여 고장 조건에서 IGBT를 보호합니다. 소프트 턴오프 기능의 저하 없이 외부 BJT 전류 부스터 단계를 통해 게이트 드라이브 전류(15A)를 증가시킬 수 있습니다. 또한 이 설계는 IGBT를 병렬로 작동하면서 게이트 전류 루프를 피하는 메커니즘을 보여줍니다.
특징
- 최대 10µC의 총 게이트 전하로 1,200V 정격의 병렬 IGBT 모듈을 구동하도록 설계됨
- 외부 BJT 버퍼 단계를 통한 최대 15Apk의 소스\싱크 전류 정격
- 내장 DESAT 및 조정 가능한 소프트 턴오프 시간을 사용한 IGBT 단락 회로 보호
- 이미터 루프 전류 제한을 위한 공통 모드 초크 및 이미터 저항 내장
- 8,000Vpk VIOTM 및 2,121Vpk VIORM 절연 강화
- 100KV/us의 매우 높은 CMTI
완조립 보드는 테스팅과 성능 검증을 위해서만 개발되었으며 판매를 위한 것이 아닙니다.
설계 파일 및 제품
설계 파일
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TIDRPJ4.PDF (53 KB)
설계 구성요소, 참조 지정자 및 제조업체/부품 번호의 전체 목록
기술 자료
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| 유형 | 직함 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | 설계 가이드 | IGBT Gate Driver Ref Design for Parallel IGBTs (Rev. A) | 2017. 1. 19 |