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ISO5852S

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분할 출력, STO 및 보호 기능을 지원하는 5.7kVrms, 2.5A/5A 단일 채널 절연 게이트 드라이버

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 5 Peak output current (source) (typ) (A) 2.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 100-kV/µs Minimum Common-Mode Transient Immunity (CMTI) at V CM = 1500 V
  • Split Outputs to Provide 2.5-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents
  • Short Propagation Delay: 76 ns (Typ), 110 ns (Max)
  • 2-A Active Miller Clamp
  • Output Short-Circuit Clamp
  • Soft Turn-Off (STO) during Short Circuit
  • Fault Alarm upon Desaturation Detection is Signaled on FLT and Reset Through RST
  • Input and Output Undervoltage Lockout (UVLO) with Ready (RDY) Pin Indication
  • Active Output Pulldown and Default Low Outputs with Low Supply or Floating Inputs
  • 2.25-V to 5.5-V Input Supply Voltage
  • 15-V to 30-V Output Driver Supply Voltage
  • CMOS Compatible Inputs
  • Rejects Input Pulses and Noise Transients Shorter Than 20 ns
  • Operating Temperature: –40°C to +125°C Ambient
  • Isolation Surge Withstand Voltage 12800-V PK
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000-V PK V IOTM and 2121-V PK V IORM Reinforced Isolation per DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • 5700-V RMS Isolation for 1 Minute per UL 1577
    • CSA Component Acceptance Notice 5A, IEC 60950–1 and IEC 60601–1 End Equipment Standards
    • TUV Certification per EN 61010-1 and EN 60950-1
    • GB4943.1-2011 CQC Certification
  • 100-kV/µs Minimum Common-Mode Transient Immunity (CMTI) at V CM = 1500 V
  • Split Outputs to Provide 2.5-A Peak Source and 5-A Peak Sink Currents
  • Short Propagation Delay: 76 ns (Typ), 110 ns (Max)
  • 2-A Active Miller Clamp
  • Output Short-Circuit Clamp
  • Soft Turn-Off (STO) during Short Circuit
  • Fault Alarm upon Desaturation Detection is Signaled on FLT and Reset Through RST
  • Input and Output Undervoltage Lockout (UVLO) with Ready (RDY) Pin Indication
  • Active Output Pulldown and Default Low Outputs with Low Supply or Floating Inputs
  • 2.25-V to 5.5-V Input Supply Voltage
  • 15-V to 30-V Output Driver Supply Voltage
  • CMOS Compatible Inputs
  • Rejects Input Pulses and Noise Transients Shorter Than 20 ns
  • Operating Temperature: –40°C to +125°C Ambient
  • Isolation Surge Withstand Voltage 12800-V PK
  • Safety-Related Certifications:
    • 8000-V PK V IOTM and 2121-V PK V IORM Reinforced Isolation per DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
    • 5700-V RMS Isolation for 1 Minute per UL 1577
    • CSA Component Acceptance Notice 5A, IEC 60950–1 and IEC 60601–1 End Equipment Standards
    • TUV Certification per EN 61010-1 and EN 60950-1
    • GB4943.1-2011 CQC Certification

The ISO5852S device is a 5.7-kV RMS, reinforced isolated gate driver for IGBTs and MOSFETs with split outputs, OUTH and OUTL, providing 2.5-A source and 5-A sink current. The input side operates from a single 2.25-V to 5.5-V supply. The output side allows for a supply range from minimum 15 V to maximum 30 V. Two complementary CMOS inputs control the output state of the gate driver. The short propagation time of 76 ns provides accurate control of the output stage.

An internal desaturation (DESAT) fault detection recognizes when the IGBT is in an overcurrent condition. Upon a DESAT detect, a mute logic immediately blocks the output of the isolator and initiates a soft-turnoff procedure which disables the OUTH pin and pulls the OUTL pin to low over a time span of 2 µs. When the OUTL pin reaches 2 V with respect to the most-negative supply potential, V EE2, the gate-driver output is pulled hard to the V EE2 potential, turning the IGBT immediately off.

When desaturation is active, a fault signal is sent across the isolation barrier, pulling the FLT output at the input side low and blocking the isolator input. Mute logic is activated through the soft-turnoff period. The FLT output condition is latched and can be reset only after the RDY pin goes high, through a low-active pulse at the RST input.

When the IGBT is turned off during normal operation with a bipolar output supply, the output is hard clamp to V EE2. If the output supply is unipolar, an active Miller clamp can be used, allowing Miller current to sink across a low-impedance path which prevents the IGBT from dynamic turnon during high-voltage transient conditions.

The readiness for the gate driver to be operated is under the control of two undervoltage-lockout circuits monitoring the input-side and output-side supplies. If either side has insufficient supply, the RDY output goes low, otherwise this output is high.

The ISO5852S device is available in a 16-pin SOIC package. Device operation is specified over a temperature range from –40°C to +125°C ambient.

The ISO5852S device is a 5.7-kV RMS, reinforced isolated gate driver for IGBTs and MOSFETs with split outputs, OUTH and OUTL, providing 2.5-A source and 5-A sink current. The input side operates from a single 2.25-V to 5.5-V supply. The output side allows for a supply range from minimum 15 V to maximum 30 V. Two complementary CMOS inputs control the output state of the gate driver. The short propagation time of 76 ns provides accurate control of the output stage.

An internal desaturation (DESAT) fault detection recognizes when the IGBT is in an overcurrent condition. Upon a DESAT detect, a mute logic immediately blocks the output of the isolator and initiates a soft-turnoff procedure which disables the OUTH pin and pulls the OUTL pin to low over a time span of 2 µs. When the OUTL pin reaches 2 V with respect to the most-negative supply potential, V EE2, the gate-driver output is pulled hard to the V EE2 potential, turning the IGBT immediately off.

When desaturation is active, a fault signal is sent across the isolation barrier, pulling the FLT output at the input side low and blocking the isolator input. Mute logic is activated through the soft-turnoff period. The FLT output condition is latched and can be reset only after the RDY pin goes high, through a low-active pulse at the RST input.

When the IGBT is turned off during normal operation with a bipolar output supply, the output is hard clamp to V EE2. If the output supply is unipolar, an active Miller clamp can be used, allowing Miller current to sink across a low-impedance path which prevents the IGBT from dynamic turnon during high-voltage transient conditions.

The readiness for the gate driver to be operated is under the control of two undervoltage-lockout circuits monitoring the input-side and output-side supplies. If either side has insufficient supply, the RDY output goes low, otherwise this output is high.

The ISO5852S device is available in a 16-pin SOIC package. Device operation is specified over a temperature range from –40°C to +125°C ambient.
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* Data sheet ISO5852S High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2023/05/30
Certificate VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) 2025/09/22
Certificate UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025/09/08
Certificate TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025/08/15
Application brief Does My Design Need a Miller Clamp? PDF | HTML 2024/12/11
Application note Choosing Appropriate Protection Approach for IGBT and SiC Power Modules PDF | HTML 2024/07/19
Application note Digital Isolator Design Guide (Rev. G) PDF | HTML 2023/09/13
User guide UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC 2023/09/01
White paper Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps PDF | HTML 2023/08/31
Certificate ISO5451 CQC Certificate of Product Certification 2023/08/16
Application note Comparative Analysis of Two Different Methods for Gate-Drive Current Boosting (Rev. A) PDF | HTML 2022/02/17
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021/12/16
Certificate CSA Certification (Rev. Q) 2021/06/14
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020/02/28
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020/02/28
Functional safety information Isolation in AC Motor Drives: Understanding the IEC 61800-5-1 Safety Standard (Rev. A) 2019/09/19
Technical article Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations PDF | HTML 2019/08/06
Analog Design Journal Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology (Rev. A) 2018/08/22
User guide ISO5852SDW Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules 2018/05/24
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Application note Isolation Glossary (Rev. A) 2017/09/19
Technical article Understanding isolator failure modes for safe isolation PDF | HTML 2016/03/28
Technical article 7 steps to choose the right isolators for AC motor-drive applications PDF | HTML 2015/11/24
Analog Design Journal 4Q 2015 Analog Applications Journal 2015/10/30
Analog Design Journal Common-mode transient immunity for isolated gate drivers 2015/10/30
White paper Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014/10/17
White paper High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014/10/16
Application note Shelf-Life Evaluation of Lead-Free Component Finishes 2004/05/24

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

ISO5852SDWEVM-017 — SiC 및 IGBT 전원 모듈용 구동 및 보호 평가 보드

ISO5852SDWEVM-017는 표준 62mm 패키지에 포함된 하프 브리지 SiC MOSFET 및 IGBT 전원 모듈에 필요한 드라이브, 바이어스 전압, 보호 및 진단을 제공하는 소형 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버 보드입니다. 이 TI EVM은 8.0mm 연면 및 간극의 SOIC-16DW 패키지로 제공되는 5.7kVrms 강화 절연 드라이버 IC ISO5852SDW를 기반으로 합니다. 이 EVM에는 SN6505B 기반 절연 바이어스 공급 장치, 증폭기 AMC1401에 의한 온도 및 버스 전압 절연 모니터링 기능이 포함되어 (...)

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평가 보드

ISO5852SEVM — 강화 절연 IGBT 게이트 드라이버 평가 모듈

This evaluation module, featuring ISO5852S reinforced isolated gate driver device, allows designers to evaluate device AC and DC performance with a pre-populated 1-nF load or with a user-installed IGBT in either of the standard TO-247 or TO-220 packages.

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시뮬레이션 모델

ISO5852S IBIS Model

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시뮬레이션 모델

ISO5852S PSpice Transient Model (Rev. A)

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시뮬레이션 모델

ISO5852S TINA-TI Reference Design

SLLM436.TSC (1537 KB) - TINA-TI Reference Design
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시뮬레이션 모델

ISO5852S TINA-TI SPICE Model

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시뮬레이션 모델

ISO5852S Unencrypted PSPICE Transient Model

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설계 툴

SLLR117 — ISO5852SDWEVM-017 Design Files

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
ISO5852S — 분할 출력, STO 및 보호 기능을 지원하는 5.7kVrms, 2.5A/5A 단일 채널 절연 게이트 드라이버
하드웨어 개발
평가 보드
ISO5852SDWEVM-017 — SiC 및 IGBT 전원 모듈용 구동 및 보호 평가 보드
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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 착수하기 (...)
요청
레퍼런스 디자인

TIDA-00195 — 3상 인버터 시스템용 절연 IGBT 게이트 드라이버 평가 플랫폼 레퍼런스 디자인

The TIDA-00195 reference design consists of a 22kW power stage with TI’s new reinforced isolated IGBT gate driver ISO5852S intended for motor control in various applications. This design allows performance evaluation of the ISO5852S in 3-phase inverter incorporating 1200V rated IGBT modules (...)
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레퍼런스 디자인

TIDA-01599 — 산업용 드라이브에 대한 TÜV SÜD 평가 STO(Safe Torque Off) 레퍼런스 설계(IEC 61800-5-2)

이 레퍼런스 설계는 CMOS 입력 절연 IGBT 게이트 드라이버를 지원하는 3상 인버터용 STO(Safe Torque Off) 서브시스템을 설명합니다. STO 하위 시스템은 하드웨어 내결함성이 1(HFT=1)인 이중 채널 아키텍처(1oo2)를 사용합니다. 이 기능은 트립 개념의 에너지를 차단한 후에 구현됩니다. 듀얼 STO 입력(STO_1 및 STO_2)이 LOW로 전환되면 6개의 절연 IGBT 게이트 드라이버의 1차 및 2차측 해당 전원 공급 장치가 부하 스위치를 통해 차단됩니다. 이렇게 하면 모터를 제어하고 에너지를 충전할 (...)
Design guide: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-00917 — 단락 보호 및 전류 버퍼 기능을 갖춘 병렬 IGBT를 위한 게이트 드라이버 레퍼런스 디자인

병렬 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT)는 출력 전력 정격이 높은 전력 변환 장비에 필요하며, 단일 IGBT로는 필요한 부하 전류를 제공할 수 없습니다. 이 레퍼런스 설계는 하프 브리지 구성에서 병렬 IGBT를 구동하기 위해 강화된 절연 IGBT 게이트 제어 모듈을 구현합니다. IGBT를 병렬로 연결하면 게이트 드라이버(구동 강도 부족)와 시스템 수준에서 두 IGBT 모두에서 동일한 전류 분배를 유지하는 동시에 더 빠른 켜기/끄기를 보장해야 하는 문제가 발생합니다. 이 레퍼런스 설계는 불포화 감지 및 소프트 턴오프와 같은 (...)
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회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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