UCC5870QEVM-045

UCC5870-Q1 기능 안전 호환 15A 절연 IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버 3상 EVM

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개요

UCC5870-Q1 3상 EVM(평가 모듈)은 고급 보호 기능을 지원하는 TI의 15A 절연 단일 채널 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 EV/HEV 애플리케이션에서 고전력 SiC MOSFET 및 IGBT를 구동하는 것을 목표로 합니다. 이 3상 EVM은 드라이버의 직렬 주변 기기 인터페이스(SPI)용 소프트웨어를 디버깅하고 드라이버의 정교한 진단, 보호 및 모니터링 기능을 탐색하는 데 사용할 수 있습니다.

특징

3상 애플리케이션 소프트웨어 개발 지원
SPI 기반 장치 재구성, 검증, 감시 및 진단
주소 모드 SPI 및 데이지 체인 모드 SPI를 모두 지원
전원 트랜지스터 보호: 전원 트랜지스터 고장 중 DESAT, OC/SC, STO(프로그래밍 가능 소프트 턴오프) 및 2LTOFF(2레벨 턴오프)
분할 드라이버 출력은 15A 피크 소스 및 15A 피크 싱크 전류를 보장

절연 게이트 드라이버

UCC5870-Q1 — IGBT/SiC용 오토모티브, 3.75kVrms 30A 단일 채널 기능 안전 절연 게이트 드라이버

UCC5871-Q1 — 고급 보호 기능을 지원하는 오토모티브 30A 절연 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버

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