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UCC5870-Q1

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IGBT/SiC용 오토모티브, 3.75kVrms 30A 단일 채널 기능 안전 절연 게이트 드라이버

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UCC5870-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5250 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Two-level turn-off, Two-level turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1000 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5250 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Two-level turn-off, Two-level turnoff Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1000 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DWJ) 36 131.84 mm² 12.8 x 10.3
  • Split output driver provides 30-A peak source and 30-A peak sink currents
  • Adjustable "on the fly" gate drive strength
  • Interlock and shoot-through protection with 150-ns(max) propagation delay and programmable minimum pulse rejection
  • Primary and Secondary side active short circuit (ASC) support
  • Configurable power transistor protections
    • DESAT based short circuit protection
    • Shunt resistor based overcurrent and short circuit protection
    • NTC based overtemperature protection
    • Programmable soft turnoff (STO) and two-level turnoff (2LTOFF) during power transistor faults
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built-in self test (BIST) for protection comparators
    • IN+ to transistor gate path integrity
    • Power transistor threshold monitoring
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm (nFLT1) and warning (nFLT2) outputs
  • Integrated 4-A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Advanced high voltage clamping control
  • Internal and external supply undervoltage and overvoltage protection
  • Active output pulldown and default low outputs with low supply or floating inputs
  • Driver die temperature sensing and overtemperature protection
  • 100-kV/µs minimum common mode transient immunity (CMTI) at VCM = 1000V
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • Integrated 10-bit ADC for power transistor temperature, voltage, and current monitoring
  • Safety-related certifications:
    • 3750– VRMS isolation for 1 minute per UL1577 (planned)
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 0: –40°C to 125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4b
  • Split output driver provides 30-A peak source and 30-A peak sink currents
  • Adjustable "on the fly" gate drive strength
  • Interlock and shoot-through protection with 150-ns(max) propagation delay and programmable minimum pulse rejection
  • Primary and Secondary side active short circuit (ASC) support
  • Configurable power transistor protections
    • DESAT based short circuit protection
    • Shunt resistor based overcurrent and short circuit protection
    • NTC based overtemperature protection
    • Programmable soft turnoff (STO) and two-level turnoff (2LTOFF) during power transistor faults
  • Functional Safety-Compliant
  • Integrated diagnostics:
    • Built-in self test (BIST) for protection comparators
    • IN+ to transistor gate path integrity
    • Power transistor threshold monitoring
    • Internal clock monitoring
    • Fault alarm (nFLT1) and warning (nFLT2) outputs
  • Integrated 4-A active Miller clamp or optional external drive for Miller clamp transistor
  • Advanced high voltage clamping control
  • Internal and external supply undervoltage and overvoltage protection
  • Active output pulldown and default low outputs with low supply or floating inputs
  • Driver die temperature sensing and overtemperature protection
  • 100-kV/µs minimum common mode transient immunity (CMTI) at VCM = 1000V
  • SPI based device reconfiguration, verification, supervision, and diagnosis
  • Integrated 10-bit ADC for power transistor temperature, voltage, and current monitoring
  • Safety-related certifications:
    • 3750– VRMS isolation for 1 minute per UL1577 (planned)
  • AEC-Q100 qualified with the following results:
    • Device temperature grade 0: –40°C to 125°C ambient operating temperature
    • Device HBM ESD classification level 2
    • Device CDM ESD classification level C4b

The UCC5870-Q1 device is an isolated, highly configurable single-channel gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections, such as shunt-resistor–based overcurrent, NTC-based overtemperature, and DESAT detection, include selectable soft turn-off or two-level turn-off during these faults. To further reduce the application size, the UCC5870-Q1 integrates a 4-A active Miller clamp during switching, and an active gate pulldown while the driver is unpowered. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to six analog inputs and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL-D compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI interface, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.

The UCC5870-Q1 device is an isolated, highly configurable single-channel gate driver targeted to drive high power SiC MOSFETs and IGBTs in EV/HEV applications. Power transistor protections, such as shunt-resistor–based overcurrent, NTC-based overtemperature, and DESAT detection, include selectable soft turn-off or two-level turn-off during these faults. To further reduce the application size, the UCC5870-Q1 integrates a 4-A active Miller clamp during switching, and an active gate pulldown while the driver is unpowered. An integrated 10-bit ADC enables monitoring of up to six analog inputs and the gate driver temperature for enhanced system management. Diagnostics and detection functions are integrated to simplify the design of ASIL-D compliant systems. The parameters and thresholds for these features are configurable using the SPI interface, which allows the device to be used with nearly any SiC MOSFET or IGBT.
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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 기능 안전 호환 15A 절연 IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버 3상 EVM

UCC5870-Q1 3상 EVM(평가 모듈)은 고급 보호 기능을 지원하는 TI의 15A 절연 단일 채널 게이트 드라이버의 평가를 위해 설계되었습니다. 이 EVM은 EV/HEV 애플리케이션에서 고전력 SiC MOSFET 및 IGBT를 구동하는 것을 목표로 합니다. 이 3상 EVM은 드라이버의 직렬 주변 기기 인터페이스(SPI)용 소프트웨어를 디버깅하고 드라이버의 정교한 진단, 보호 및 모니터링 기능을 탐색하는 데 사용할 수 있습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매할 수 없습니다
평가 모듈(EVM)용 GUI

UCC5870QDWJEVM-026-GUI — UCC5870-Q1 EVM GUI Software

UCC5870-Q1 EVM GUI Software
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지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
절연 게이트 드라이버
UCC5870-Q1 — IGBT/SiC용 오토모티브, 3.75kVrms 30A 단일 채널 기능 안전 절연 게이트 드라이버 UCC5871-Q1 — 고급 보호 기능을 지원하는 오토모티브 30A 절연 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 게이트 드라이버
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시뮬레이션 모델

UCC5870-Q1 SIMPLIS Model (Rev. A)

SLUM763A.ZIP (250 KB) - SIMPLIS Model
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계산 툴

SLURAZ3 — UCC5870-Q1 XL Calculator Tool

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지원되는 제품 및 하드웨어

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제품
절연 게이트 드라이버
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Test report: PDF
패키지 핀 다운로드
SSOP (DWJ) 36 옵션 보기
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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