LM5114BSDEVAL

LM5114 升壓閘極驅動器評估板

LM5114BSDEVAL

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LM5114 是具備 7.6A/1.3A 峰值汲極/源極驅動電流能力的單一低壓側閘極驅動器。可用於驅動升壓類型配置中的標準 Si MOSFET 或強化模式 GaN FET,或是驅動隔離拓撲結構中的二次側同步 FET。LM5114 評估板的設計旨在為設計工程師提供全功能升壓 DC-DC 轉換器評估 LM5114。100V 強化模式 GaN FET (EPC2001) 可用作升壓電源開關。控制電路使用 100V 電流模式 PWM 控制器 LM5020 實作。評估板規格如下:

  • 輸入操作電壓:24V 至 66V
  • 輸出電壓:75V
  • 輸出電流:2A
  • 在 48V 時測量效率:97% @ 2A
  • 操作頻率:500kHz
  • 線路 UVLO:23.6V(上升)/21.6V(下降)
  • 電路板尺寸:2.99 x 3.26 英吋

印刷電路板由 2 層 2 盎司銅的 FR4 材料製成,厚度為 0.050 英吋。

特點
  • 獨立源極和汲極輸出、可控制上升和下降時間
  • +4V 至 +12.6V 單電源供應
  • 7.6A/1.3A 峰值汲極/源極驅動電流
  • 0.23Ω 開漏下拉汲極輸出
  • 2Ω 開漏上拉源輸出
  • 斷電時下拉箝位
  • 12ns (典型) 傳播延遲
  • 反相與非反相輸入間的匹配延遲時間
  • 最高 +14V 邏輯輸入 (不受 VDD 電壓影響)
  • –40°C 至 +125°C 操作溫度範圍
  • 與 MAX5048 針腳對針腳相容
低壓側驅動器
LM5114 具 4-V UVLO 與分離輸出的 7.6-A/1.3-A 單通道閘極驅動器
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開發板

LM5114BSDEVAL/NOPB — LM5114 Boost Gate Driver Evaluation Board

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LM5114BSDEVAL/NOPB LM5114 Boost Gate Driver Evaluation Board

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適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

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* EVM User's guide AN-2206 LM5114 Evaluation Board (Rev. A) 2013/5/3
證書 LM5114BSDEVAL/NOPB EU Declaration of Conformity (DoC) 2019/1/2

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