PMP23249
650-V 30-mΩ GaN FET 子卡參考設計
PMP23249
概覽
此參考設計配備兩個具整合式驅動器的 LMG352XR0X0 650-V GaN FET 並以半橋配置提供防護，且配備所有必要偏壓電路和邏輯或功率位準移位。封裝功率級、閘極驅動、高頻電流迴路皆完整封裝在電路板中，可將電源迴路寄生電感降到最低，以減少電壓過衝並改善性能。此設計採用插槽式外部連線，可輕鬆與外部功率級連接，以在各種應用中執行 LMG352XR0X0。
特點
- 開迴路設計可評估 LMG352XR030 的性能
- 逐週期過電流和鎖存短路保護
- 尺寸可滿足高功率密度
- 輸入電壓運作最多 650V
- 防止內部過熱自我保護及過低電壓鎖定 (UVLO) 監控
| 輸出電壓選項 | PMP23249.1 |
|---|---|
| Vin (最小值) (V) | 300 |
| Vin (最大值) (V) | 650 |
| Vout (Nom) (V) | 380 |
| Iout (最大) (A) | 9.4 |
| 輸出功率 (W) | 3572 |
| 隔離式/非隔離式 | Non-Isolated |
| 輸入類型 | DC |
| 拓撲結構 | Other |
已開發完全組裝的電路板，僅供測試與性能驗證，且為非賣品。
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| 類型 | 標題 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 測試報告 | Compact LMG3522R030-Q1 650-V, 30-mΩ, Half-Bridge Daughter Card Reference Design | PDF | HTML | 2022/10/20 |