產品詳細資料

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.7 Creepage (min) (mm) 4, 8 Clearance (min) (mm) 4, 8
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.7 Creepage (min) (mm) 4, 8 Clearance (min) (mm) 4, 8
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 100 Mbps data rate
  • Robust isolation barrier:
    • >100-year projected lifetime at 1500 V RMS working voltage
    • Up to 5000 V RMS isolation rating
    • Up to 12.8 kV surge capability
    • ±100 kV/µs typical CMTI
  • Wide supply range: 2.25 V to 5.5 V
  • 2.25 V to 5.5 V Level translation
  • Default output high (ISO7710) and low (ISO7710F) options
  • Wide temperature range: –55°C to 125°C
  • Low power consumption, typical 1.7 mA at 1 Mbps
  • Low propagation delay: 11 ns Typical (5-V Supplies)
  • Robust electromagnetic compatibility (EMC)
    • System-level ESD, EFT, and surge immunity
    • ±8 kV IEC 61000-4-2 contact discharge protection across isolation barrier
    • Low emissions
  • Wide-SOIC (DW-16) and narrow-SOIC (D-8) package options
  • Automotive version available: ISO7710-Q1
  • Safety-related Certifications
    • VDE reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program
    • IEC 62368-1, IEC 61010-1, IEC 60601-1 and GB 4943.1 certifications
  • 100 Mbps data rate
  • Robust isolation barrier:
    • >100-year projected lifetime at 1500 V RMS working voltage
    • Up to 5000 V RMS isolation rating
    • Up to 12.8 kV surge capability
    • ±100 kV/µs typical CMTI
  • Wide supply range: 2.25 V to 5.5 V
  • 2.25 V to 5.5 V Level translation
  • Default output high (ISO7710) and low (ISO7710F) options
  • Wide temperature range: –55°C to 125°C
  • Low power consumption, typical 1.7 mA at 1 Mbps
  • Low propagation delay: 11 ns Typical (5-V Supplies)
  • Robust electromagnetic compatibility (EMC)
    • System-level ESD, EFT, and surge immunity
    • ±8 kV IEC 61000-4-2 contact discharge protection across isolation barrier
    • Low emissions
  • Wide-SOIC (DW-16) and narrow-SOIC (D-8) package options
  • Automotive version available: ISO7710-Q1
  • Safety-related Certifications
    • VDE reinforced insulation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 component recognition program
    • IEC 62368-1, IEC 61010-1, IEC 60601-1 and GB 4943.1 certifications

The ISO7710 device is a high-performance, single-channel digital isolator with 5000 V RMS (DW package) and 3000 V RMS (D package) isolation ratings per UL 1577. This device is also certified by VDE, TUV, CSA, and CQC.

The ISO7710 device provides high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os. The isolation channel has a logic input and output buffer separated by a double capacitive silicon dioxide (SiO 2) insulation barrier. In the event of input power or signal loss, default output is high for a device without suffix F and low for a device with suffix F. See the Device Functional Modes section for further details.

Used in conjunction with isolated power supplies, the device helps prevent noise currents on data buses, such as RS-485, RS-232, and CAN , or other circuits from entering the local ground and interfering with or damaging sensitive circuitry. Through innovative chip design and layout techniques, the electromagnetic compatibility of the ISO7710 device has been significantly enhanced to ease system-level ESD, EFT, surge, and emissions compliance. The ISO7710 device is available in 16-pin SOIC wide-body (DW) and 8-pin SOIC narrow-body (D) packages.

The ISO7710 device is a high-performance, single-channel digital isolator with 5000 V RMS (DW package) and 3000 V RMS (D package) isolation ratings per UL 1577. This device is also certified by VDE, TUV, CSA, and CQC.

The ISO7710 device provides high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os. The isolation channel has a logic input and output buffer separated by a double capacitive silicon dioxide (SiO 2) insulation barrier. In the event of input power or signal loss, default output is high for a device without suffix F and low for a device with suffix F. See the Device Functional Modes section for further details.

Used in conjunction with isolated power supplies, the device helps prevent noise currents on data buses, such as RS-485, RS-232, and CAN , or other circuits from entering the local ground and interfering with or damaging sensitive circuitry. Through innovative chip design and layout techniques, the electromagnetic compatibility of the ISO7710 device has been significantly enhanced to ease system-level ESD, EFT, surge, and emissions compliance. The ISO7710 device is available in 16-pin SOIC wide-body (DW) and 8-pin SOIC narrow-body (D) packages.

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類型 標題 日期
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設計與開發

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開發板

DIGI-ISO-EVM — 通用數位隔離器評估模組

DIGI-ISO-EVM 是一款評估模組 (EVM),可評估任何 TI 單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數位隔離器裝置,並提供五種不同封裝 - 8 接腳窄體 SOIC (D)、8 接腳寬體 SOIC (DWV)、16 接腳寬體 SOIC (DWW)、16 接腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 接腳 (DBQ) 封裝。EVM 具備足夠 Berg 接腳選項,可用於評估具最少外部零組件的裝置。

使用指南: PDF | HTML
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開發板

ISO7721DEVM — EMC 性能優異的 D 封裝 ISO7721 高速雙通道數位隔離器評估模組

The ISO7721DEVM is an evaluaiton module (EVM) used to evaluate the ISO7721 high-performance, reinforced dual-channel digital isolator in an 8-pin narrow SOIC package (package code, D). The EVM features enough test points and jumper options for you to evaluate the device with minimal (...)
使用指南: PDF
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ISO7741EVM — EMC 性能優異的 ISO7741 高速四通道數位隔離器評估模組

The ISO7741EVM is an evaluaiton module (EVM) to evaluate the ISO7741. The ISO7741 is a high-performance, reinforced quad-channel digital isolator in a wide-body SOIC package (package code DW). The EVM features enough test points and jumber options for you to evaluate the (...)
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UCC28782EVM-030 — 具有 ISO7710FD 的 UCC28782 主動鉗位反馳式轉換器 65-W USB-C PD EVM

UCC28782EVM-030 使用 UCC28782 主動鉗位返馳控制器展現 65-W USB Type-C™ 離線適配器的高效率和高密度。輸入支援通用 90 Vac 至 264 Vac,單輸出在最大電流 3-A 時可設爲 5 V、9 V 和 15 V,最大電流 3.25-A 時則為 20 V,可透過 USB PD 介面控制器進行調整。250-kHz 額定的高頻率操作可縮小解決方案尺寸,多模式操作則可維持高效率。LMG2610 整合了高壓側與低壓側 FET、閘極驅動器、高壓側位準移位器,並提供無耗損電流感測模擬。輸出則採用同步整流以提升效率。

使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
模擬型號

ISO7710 IBIS Model

SLLM331.ZIP (52 KB) - IBIS Model
模擬型號

ISO7710 PSpice Transient Model

SLLM482.ZIP (150 KB) - PSpice Model
參考設計

TIDA-01623 — 30-W/in3、93.4% 效率、100-W AC/DC 變壓器參考設計

This fully-tested reference design is a high-efficiency, high-power-density, AC/DC adapter solution with a wide input voltage range (100- to 240-V AC) for laptop adapters and smartphone charger applications. This design consists of a front-end transition-mode (TM) power factor correction (PFC) (...)
Design guide: PDF
電路圖: PDF
參考設計

PMP23069 — 具 16-A 最大輸入的 3-kW、180-W/in3 單相圖騰柱免橋接 PFC 參考設計

此參考設計展示了使用 C2000 F28003x 和 F28004x 微控制器控制連續導通模式圖騰柱功率因數校正轉換器 (PFC) 的方法。PFC 在電網連接 (電流控制) 模式下也可用作逆變器。轉換器的設計可支援 16-ARMS 最大輸入電流及 3.6 kW 最大功耗。具整合式驅動器與防護的 LMG3522 頂端冷卻 GaN 產品可實現更高效率,並可縮減電源供應器尺寸和複雜性。基於 F28004x 或 F28002x 的 C2000 控制器可用於所有進階控制,例如快速繼電器控制和反向電流保護。此設計支援適應性失效時間以提升效率、在輕負載情況下加強功率因數的輸入電容方案,以及在 PFC (...)
Test report: PDF
參考設計

TIDA-01599 — TÜV SÜD 評估工業驅動器的安全扭矩關閉 (STO) 參考設計 (IEC 61800-5-2)

本參考設計概述具有 CMOS 輸入隔離式 IGBT 閘極驅動器的三相逆變器的安全扭矩關閉 (STO) 子系統。STO 子系統採用雙通道架構 (1oo2),硬體容錯範圍爲 1 (HFT=1)。實作時遵循去能脫扣概念。當雙 STO 輸入 (STO_1 和 STO_2) 變低電位作動時,六個隔離 IGBT 柵極驅動器的一次和二次側對應電源供電將透過負載開關切斷。如此可消除控制馬達並為馬達通電的可能性。STO 參考設計 (1oo2) 已由 TÜV SÜD 進行評估,一般適用於 SIL 3 和 PL e/Cat。3.
Design guide: PDF
電路圖: PDF
參考設計

PMP23249 — 650-V 30-mΩ GaN FET 子卡參考設計

此參考設計配備兩個具整合式驅動器的 LMG352XR0X0 650-V GaN FET 並以半橋配置提供防護,且配備所有必要偏壓電路和邏輯或功率位準移位。封裝功率級、閘極驅動、高頻電流迴路皆完整封裝在電路板中,可將電源迴路寄生電感降到最低,以減少電壓過衝並改善性能。此設計採用插槽式外部連線,可輕鬆與外部功率級連接,以在各種應用中執行 LMG352XR0X0。
Test report: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

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支援與培訓

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