TIDA-01634

適用於高速 DC/DC 轉換器的多 MHz GaN 功率級參考設計

TIDA-01634

設計檔案

概覽

此參考設計以 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率級高電子移動率電晶體 (HEMT) 為基礎,採用多 MHz 功率級設計。透過高效率開關和靈活的失效時間調整,此設計可大幅提升功率密度,同時實現良好效率及高控制頻寬。此功率級設計可廣泛應用於眾多需要快速回應的空間受限型應用,如 5G 電信電源、伺服器和工業電源供應器。

特點
  • 精巧 GaN 架構功率級設計,具備高達 50MHz 的切換頻率
  • 適用於高壓側和低壓側彼此獨立的 PWM 輸入,或具可調整失效時間的單一 PWM 輸入
  • 最小脈衝寬度為 3ns
  • 高電壓轉換速率抗擾性 (300V/ns)
  • 驅動器 UVLO 和過熱保護
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已開發完全組裝的電路板,僅供測試與性能驗證,且為非賣品。

設計檔案與產品

設計檔案

下載立即可用的系統檔案以加速您的設計流程。

TIDUE47.PDF (885 KB)

參考設計概觀與已驗證的性能測試資料

TIDRVR0.PDF (136 KB)

元件配置的詳細設計佈線圖概觀

TIDRVQ9.PDF (104 KB)

設計元件、參考指示項與製造商/零件編號的完整清單

TIDRVR2.ZIP (45 KB)

IC 元件的 3D 模型或 2D 圖所使用的檔案

TIDCEJ2.ZIP (1201 KB)

包含 PCB 設計中實體電路板層相關資訊的設計檔案

TIDRVR1.PDF (717 KB)

產生 PCB 設計佈線圖所使用的 PCB 層圖表檔案

TIDRVQ8.PDF (152 KB)

設計佈線圖與元件的詳細電路圖

產品

設計與潛在替代方案中包括 TI 產品。

非反相緩衝器和驅動器

SN74LVC2G17具有施密特觸發器輸入的 2 通道 1.65-V 至 5.5-V 緩衝器

產品規格表: PDF | HTML
半橋式驅動器

LMG1210適用 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5-A、3-A、200-V 半橋閘極驅動器、5-V UVLO 和可編程失效時間

產品規格表: PDF | HTML

技術文件

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類型 標題 下載最新的英文版本 日期
* 設計指南 Multi-MHz GaN Power Stage Reference Design for High-Speed DC/DC Converters 2018/2/26

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