JAJSIA3C February   2010  – December 2019 CSD17308Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
      1.      Device Images
        1.       RDS(on)とVGSとの関係
        2.       ゲート電荷
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 サポート・リソース
    2. 6.2 商標
    3. 6.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 6.4 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q3パッケージの寸法
    2. 7.2 推奨のPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル開口部
    4. 7.4 Q3のテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DQG|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるよう設計され、5Vのゲート駆動アプリケーション向けに最適化されています。

上面図

CSD17308Q3 P0095-01_LPS202.gif

製品概要

TA = 25°C 値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 30 V
Qg 総ゲート電荷量(4.5 V) 3.9 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 0.8 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 3 V 12.5 mΩ
VGS = 4.5V 9.4
VGS = 8V 8.2
VGS(th) スレッショルド電圧 1.3 V

製品情報(1)

デバイス 数量 メディア パッケージ 出荷
CSD17308Q3 2500 13インチ・リール SON 3.30mm × 3.30mm
プラスチック・パッケージ		 テープ・アンド・リール
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25℃ (特に記述のない限り) 値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 30 V
VGS ゲート-ソース間電圧 +10 / –8 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 50 A
連続ドレイン電流、TC = 25℃ 44
連続ドレイン電流(1) 14
IDM パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) 167 A
PD 消費電力(1) 2.7 W
消費電力、TC = 25℃ 28
TJ、Tstg 動作時の接合部および保存温度 –55～150 °C
EAS アバランシェ・エネルギー、単一パルス
ID = 36A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 65 mJ
  1. 0.06in (1.52mm)厚のFR4 PCB上の面積1in2 (6.45cm2)、2oz (0.071mm)厚のCuパッドで、標準RθJA = 46°C/Wの場合
  2. 最大 RθJC = 4.5℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%。