JAJSIA3C February   2010  – December 2019 CSD17308Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
      1.      Device Images
        1.       RDS(on)とVGSとの関係
        2.       ゲート電荷
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 サポート・リソース
    2. 6.2 商標
    3. 6.3 静電気放電に関する注意事項
    4. 6.4 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q3パッケージの寸法
    2. 7.2 推奨のPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル開口部
    4. 7.4 Q3のテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DQG|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.1 Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise stated
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVDSS Drain-to-source voltage VGS = 0 V, ID = 250 μA 30 V
IDSS Drain-to-source leakage current VGS = 0 V, VDS = 24 V 1 μA
IGSS Gate-to-source leakage current VDS = 0 V, VGS = +10 / –8 V 100 nA
VGS(th) Gate-to-source threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 μA 0.9 1.3 1.6 V
RDS(on) Drain-to-source on-resistance VGS = 3 V, ID = 10 A 12.5 16.5 mΩ
VGS = 4.5 V, ID = 10 A 9.4 11.8
VGS = 8 V, ID = 10 A 8.2 10.3
gfs Transconductance VDS = 15 V, ID = 10 A 37 S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CISS Input capacitance VGS = 0 V, VDS = 15 V, ƒ = 1 MHz 540 700 pF
COSS Output capacitance 280 365 pF
CRSS Reverse transfer capacitance 27 35 pF
Rg Series gate resistance 0.9 1.8 Ω
Qg Gate charge total (4.5 V) VDS = 15 V, ID = 10 A 3.9 5.1 nC
Qgd Gate charge gate-to-drain 0.8 nC
Qgs Gate charge gate-to-source 1.3 nC
Qg(th) Gate charge at Vth 0.7 nC
QOSS Output charge VDS = 13 V, VGS = 0 V 7.4 nC
td(on) Turnon delay time VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 10 A,
RG = 2 Ω		 4.5 ns
tr Rise time 5.7 ns
td(off) Turnoff delay time 9.9 ns
tf Fall time 2.3 ns
DIODE CHARACTERISTICS
VSD Diode forward voltage IDS = 10 A, VGS = 0 V 0.85 1 V
Qrr Reverse recovery charge VDD = 13 V, IF = 10 A, di/dt = 300 A/μs 9.3 nC
trr Reverse recovery time 14.3 ns