JAJSSX9I December   2001  – February 2024 OPA656

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Device Comparison Table
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Electrical Characteristics: High Grade DC Specifications
    7. 6.7 Typical Characteristics: VS = ±5 V
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Feature Description
      1. 7.2.1 Input and ESD Protection
    3. 7.3 Device Functional Modes
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Wideband, Noninverting Operation
      2. 8.1.2 Wideband, Inverting Gain Operation
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
        1. 8.4.1.1 Demonstration Fixtures
        2. 8.4.1.2 Thermal Considerations
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Documentation Support
      1. 9.1.1 Related Documentation
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.5 静電気放電に関する注意事項

GUID-D6F43A01-4379-4BA1-8019-E75693455CED-low.gif この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。