JAJY139
November 2023
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概要
概要
高電圧である理由
部品の技術革新によるワイド バンドギャップ FET 性能の最適化
最適なゲート ドライバの選択
適切なコントローラの選択
トポロジの技術革新による電力密度の最大化
システム レベルの技術革新による高い効率目標の達成
EMI の課題への対処
まとめ
その他の資料
その他の資料
GaN (窒化ガリウム) IC
絶縁型ゲート ドライバ
絶縁型 DC/DC コンバータとモジュール
C2000 リアルタイム マイコン