MOSFET 선택은 전력 손실 및 전압 정격에 중점을 둡니다. MOSFET의 전력 손실은 전도 손실과 스위칭 손실이라는 두 부분으로 구성되어 있습니다. 전도 손실은 MOSFET의 R_DS(on) 매개 변수에 의해 좌우됩니다. 스위칭 손실은 N-채널 MOSFET가 켜지고 꺼졌을 때 스위치 노드의 상승 및 하강 시간 동안 발생합니다. 상승 시간과 하강 시간 동안 MOSFET의 채널에 전류와 전압이 존재합니다. 스위치 노드의 상승 및 하강 시간이 길수록 스위칭 손실은 더 높아집니다. 최소 기생 커패시턴스를 사용하여 MOSFET을 선택하면 스위칭 손실이 낮아집니다. 이상적으로는 전도 손실과 스위칭 손실이 거의 같아야 합니다

총 게이트 전하(Q_{G_total})는 내부 VCC 레귤레이터를 전류 제한 내로 배치하기에 충분히 크지 않아야 합니다. 해당 MOSFET의 Q_{G_total}을 알고 있어야 합니다. Equation14은 MOSFET의 최대 Q_{G_total}을 제공합니다.

Equation14.

MOSFET의 드레인-소스 브레이크다운 전압 정격은 스위치 노드의 전압 스파이크로 인해 부하 전압과 약간의 마진보다 높아야 합니다. 브레이크 다운 전압 정격은 V_LOAD와 V_F 보다 최소한 10V 높아야 합니다. V_F는 정류 다이오드의 순방향 전압입니다.

이 설계의 경우 낮은 R_DS(on) 낮은 임계 전압을 가진 60V MOSFET이 선택됩니다. 42V의 최대 입력 전압 과도를 처리하기 위해 60V 정격이 선택됩니다