디지털 전력 절연 컨트롤러 IC

전원 MOSFET

고속 스위칭 트랜지스터에 적합한 낮은 게이트 충전 및 저항 제공

NexFET ™ 전력 MOSFET은 더 높은 효율, 더 높은 전원 밀도 또는 주파수로 시장 출시 시기를 앞당길 수 있는 다양한 범위의 n-채널 및 p-채널 개별 및 모듈 솔루션을 제공합니다.


N-채널 MOSFET 트랜지스터

TI는 동급 최고의 저항과 게이트 전하로 높은 주파수 운영과 더 높은 전원 밀도를 가능하게 하는 견고한 N-채널 장치를 제공합니다.


P-채널 MOSFET 트랜지스터

TI의 p-채널 장치는 업계 최고의 전원 밀도와 가장 작은 풋프린트를 가지고 있으며, 게이트 전하를 낮게 유지하는 것도 쉽습니다.


전력계 MOSFET

전력계는 통합 드라이버 IC, 최적화된 제어와 동기 FET을 결합하고 PowerStack™ 패키징 기술을 활용하여 기생을 제거하고 스위칭 손실을 줄이고 최대한 높은 효율을 구현합니다.


전원 블록 MOSFET

전원 블록은 최적화된 제어와 동기 FET을 결합하고 PowerStack™ 패키징 기술을 활용하여 기생을 제거하고 높은 효율과 스위칭 주파수를 구현합니다.

기술 리소스

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