TLV2314

AKTIV

Dual-RRIO-Operationsverstärker, 5,5 V, 3 MHz

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Drop-In-Ersatz mit verbesserter Funktionalität im Gegensatz zum verglichenen Baustein
OPA2310 AKTIV 5,5-V-, 3-MHz-Doppelkanal-Operationsverstärker mit hohem Ausgangsstrom (150 mA) und schneller Abscha Better accuracy (1.4mV Vos max), higher output current (150mA)

Produktdetails

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.8 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 3 Slew rate (typ) (V/µs) 1.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 0.15 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 16 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened CMRR (typ) (dB) 96 Iout (typ) (A) 0.02 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.2 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.005 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.005
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.8 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 3 Slew rate (typ) (V/µs) 1.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 0.15 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 16 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened CMRR (typ) (dB) 96 Iout (typ) (A) 0.02 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.2 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.005 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.005
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9
  • Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ)
  • Low Input Bias Current: 1 pA (typ)
  • Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V
  • Rail-to-Rail Input and Output
  • Gain Bandwidth: 3 MHz
  • Low IQ: 250 µA/Ch (max)
  • Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz
  • Internal RF/EMI Filter
  • Extended Temperature Range:
    –40°C to +125°C
  • Low Offset Voltage: 0.75 mV (typ)
  • Low Input Bias Current: 1 pA (typ)
  • Wide Supply Range: 1.8 V to 5.5 V
  • Rail-to-Rail Input and Output
  • Gain Bandwidth: 3 MHz
  • Low IQ: 250 µA/Ch (max)
  • Low Noise: 16 nV/√Hz at 1 kHz
  • Internal RF/EMI Filter
  • Extended Temperature Range:
    –40°C to +125°C

The TLV314 family of single-, dual-, and quad-channel operational amplifiers represents a new generation of low-power, general-purpose operational amplifiers. Rail-to-rail input and output swings (RRIO), low quiescent current (150 µA typically at 5 V) combine with a wide bandwidth of 3 MHz to make this family very attractive for a variety of battery-powered applications that require a good balance between cost and performance. Additionally, the TLV314 family architecture achieves a low input bias current of 1 pA, allowing for applications with MΩ source impedances.

The robust design of the TLV314 devices provides ease-of-use to the circuit designer: unity-gain stability, RRIO, capacitive loads of up to 300 pF, an integrated RF/EMI rejection filter, no phase reversal in overdrive conditions, and high electrostatic discharge (ESD) protection (4-kV HBM).

These devices are optimized for low-voltage operation as low as 1.8 V (±0.9 V) and up to 5.5 V (±2.75 V), and are specified over the extended industrial temperature range of –40°C to +125°C.

The TLV314 (single) is available in both 5-pin SC70 and SOT-23 packages. The TLV2314 (dual) is offered in 8-pin SOIC and VSSOP packages. The quad-channel TLV4314 is offered in a 14-pin TSSOP package.

The TLV314 family of single-, dual-, and quad-channel operational amplifiers represents a new generation of low-power, general-purpose operational amplifiers. Rail-to-rail input and output swings (RRIO), low quiescent current (150 µA typically at 5 V) combine with a wide bandwidth of 3 MHz to make this family very attractive for a variety of battery-powered applications that require a good balance between cost and performance. Additionally, the TLV314 family architecture achieves a low input bias current of 1 pA, allowing for applications with MΩ source impedances.

The robust design of the TLV314 devices provides ease-of-use to the circuit designer: unity-gain stability, RRIO, capacitive loads of up to 300 pF, an integrated RF/EMI rejection filter, no phase reversal in overdrive conditions, and high electrostatic discharge (ESD) protection (4-kV HBM).

These devices are optimized for low-voltage operation as low as 1.8 V (±0.9 V) and up to 5.5 V (±2.75 V), and are specified over the extended industrial temperature range of –40°C to +125°C.

The TLV314 (single) is available in both 5-pin SC70 and SOT-23 packages. The TLV2314 (dual) is offered in 8-pin SOIC and VSSOP packages. The quad-channel TLV4314 is offered in a 14-pin TSSOP package.

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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 3
Typ Titel Datum
* Data sheet TLVx314 3-MHz, Low-Power, Internal EMI Filter, RRIO, Operational Amplifier datasheet (Rev. A) PDF | HTML 22 Mär 2016
E-book Analog Engineer’s Pocket Reference Guide Fifth Edition (Rev. C) 30 Nov 2018
E-book The Signal e-book: A compendium of blog posts on op amp design topics 28 Mär 2017

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