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CSD23381F4

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 175 mOhm, protección con

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CSD23381F4

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Detalles del producto

VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 175 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 300 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.14 QGD (typ) (nC) 0.19 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 175 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 300 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.14 QGD (typ) (nC) 0.19 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36 mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • High operating drain current
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • Maximum height: 0.36 mm
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 150 mΩ, 12 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 150 mΩ, 12 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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CSD23382F4 ACTIVO MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 76 mOhm, protección cont Lower resistance

Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Soporte de software

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25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16415Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD16556Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD16570Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm CSD17301Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3 mOhm CSD17302Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9 mOhm CSD17303Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD17304Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 8,8 mOhm CSD17305Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,6 mOhm CSD17306Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm CSD17307Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 12,1 mOhm CSD17308Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm CSD17309Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm CSD17310Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD17311Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD17312Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm CSD17313Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17318Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm CSD17327Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm CSD17381F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, protección cont CSD17382F4 — 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CSD17551Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17570Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 0,92 mOhm CSD17571Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,45 mOhm CSD17575Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 3,2 mOhm CSD17576Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm CSD17577Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD17578Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm CSD17578Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm CSD17581Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm CSD17585F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección con CSD18501Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 7 mOhm CSD18504Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 1,7 mOhm CSD18510KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, D2PAK simple, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 2,6 mOhm CSD18511KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, D2PAK simple, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 2 mOhm CSD18535KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, D2PAK simple, 2 mOhm CSD18536KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 1,6 mOhm CSD18536KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, D2PAK simple, 1,6 mOhm CSD18537NKCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 14 mOhm CSD18537NQ5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD18541F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, LGA simple de 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, protección con CSD18542KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 4 mOhm CSD18542KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, D2PAK simple, 4 mOhm CSD18543Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm CSD18563Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD19501KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, TO-220 simple, 6,6 mOhm CSD19502Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm CSD19503KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, TO-220 simple, 9,2 mOhm CSD19505KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, TO-220 simple, 3,1 mOhm CSD19505KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, D2PAK simple, 3,1 mOhm CSD19506KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, TO-220 simple, 2,3 mOhm CSD19506KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, D2PAK simple, 2,3 mOhm CSD19531KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, D2PAK simple, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 3,6 mOhm CSD19535KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, D2PAK simple, 3,4 mOhm CSD19536KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 2,7 mOhm CSD19536KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, D2PAK simple, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD22202W15 — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 12,2 mOhm, protección c CSD22204W — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 9,9 mOhm, protección co CSD22205L — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, LGA simple de 1,2 mm x 1,2 mm, 9,9 mOhm, protección co CSD22206W — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 5,7 mOhm, protección co CSD23202W10 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 53 mOhm, protección contra CSD23203W — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 19,4 mOhm, protección con CSD23280F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mOhm, protección c CSD23285F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mOhm, protección co CSD23381F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 175 mOhm, protección con CSD23382F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 76 mOhm, protección cont CSD25202W15 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1.5 mm x 1.5 mm, 26 mOhm, protección co CSD25211W1015 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección cont CSD25213W10 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, protección contra CSD25304W1015 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 32,5 mOhm CSD25310Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 2 mm x 2 mm, 23.9 mOhm CSD25402Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 3 mm x 3 mm, 8.9 mOhm CSD25404Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6.5 mOhm CSD25480F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, protección c CSD25481F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, protección con CSD25483F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 245 mOhm, protección con CSD25484F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, protección con CSD25485F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 42 mOhm, protección co CSD25501F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, protección co
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Modelo de simulación

CSD23381F4 TINA-TI Spice Model (Rev. A)

SLPM091A.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
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Modelo de simulación

CSD23381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. C)

SLPM089C.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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Diseños de referencia

TIDA-00179 — Diseño de referencia de codificadores de interfaz digital universal a posición absoluta

TIDA-00179 is an EMC-compliant universal digital interface to connect to absolute position encoders like EnDat 2.2, BiSS®, SSI or HIPERFACE DSL®. This reference design supports a wide-input voltage range from 15 V to 60 V (24-V nom). A connector with 3.3-V logic I/O signals allows for (...)
Design guide: PDF
Esquema: PDF
Diseños de referencia

PMP9753 — Diseño de referencia de búfer de energía para aplicaciones de batería de larga duración

Long-Life Batteries like LiSOCl2 chemistry are unable to provide currents higher than e.g. 20mA. They furthermore suffer with reduced operation runtimes when higher currents are drawn. This application concept shows a proven reference design for a combination of TPS62740 and a Super-Capacitor (...)
Test report: PDF
Esquema: PDF
Diseños de referencia

TIDA-00765 — Diseño de referencia del extremo frontal de resolución 1G sobre un rango de 15 kg y ruido inferior a

TIDA-00765 is a less than 100nVpp analog front end for resistive strain gauge bridge load cell-based weight and vibration measurement. It is ideally suited for appliances, which require high-resolution due to large dynamic range or have considerable weight offset. In the face of significant levels (...)
Design guide: PDF
Esquema: PDF
Diseños de referencia

TIDA-00449 — Monitoreo, equilibrio y protección completa del paquete de la batería 10s Diseño de referencia de de

This reference design is ready tested for 10 cells in series battery pack monitoring, balancing and protection for power tools. Power tools increasingly use highly power-dense Li-Ion or Li-Iron phosphate cells based battery packs that need to be protected from explosion due to incorrect charging or (...)
Design guide: PDF
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Diseños de referencia

PMP9763 — Diseño de referencia de solución de administración de energía para medidores inteligentes con búfer

Smart Wireless Sensors are typically powered by Long-Life Batteries Like LiSoCl2 chemistry which are limited in current. However, these sensors require high current pulses for transmitting the gathered data wirelessly. This Reference Design provides a solution for powering the MCU with reduced (...)
Test report: PDF
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PICOSTAR (YJC) 3 Ver opciones
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Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

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