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CSD25310Q2

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 2 mm x 2 mm, 23.9 mOhm

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Detalles del producto

VDS (V) -20 VGS (V) -8 Configuration Single Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32.5 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 23.9 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -8 Configuration Single Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32.5 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 23.9 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DQK) 6 4 mm² 2 x 2
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low On Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low On Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package

This 19.9 mΩ, –20 V P-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Its low on resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2 mm × 2 mm plastic package make the device ideal for battery operated space constrained operations.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.

This 19.9 mΩ, –20 V P-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Its low on resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2 mm × 2 mm plastic package make the device ideal for battery operated space constrained operations.

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

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MOSFET
CSD13201W10 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 34 mOhm CSD13202Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, SON simple de 2 mm × 2 mm, 9.3 MΩ CSD13302W — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm CSD13303W1015 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 20 mOhm CSD13306W — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 10,2 mOhm CSD13380F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, protección con CSD13381F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6mm, 180 mOhm, protección contr CSD13383F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6mm, 44 mOhm, protección contra CSD13385F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, protección con CSD15380F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 20 V y canal N, LGA 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mOhm CSD16403Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm CSD16404Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 7,2 mOhm CSD16406Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 7,4 mOhm CSD16407Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,3 mOhm CSD16408Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD16409Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 12,4 mOhm CSD16410Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 12 mOhm CSD16411Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 15 mOhm CSD16412Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 16 mOhm CSD16413Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,6 mOhm CSD16414Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16415Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD16556Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD16570Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 25 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm CSD17301Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3 mOhm CSD17302Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9 mOhm CSD17303Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD17304Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 8,8 mOhm CSD17305Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,6 mOhm CSD17306Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm CSD17307Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 12,1 mOhm CSD17308Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm CSD17309Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm CSD17310Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD17311Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD17312Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm CSD17313Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17318Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm CSD17327Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm CSD17381F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, protección cont CSD17382F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 67 mOhm, protección contr CSD17483F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, protección cont CSD17484F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, protección cont CSD17501Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm CSD17505Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,5 mOhm CSD17506Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4 mOhm CSD17507Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm CSD17510Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,2 mOhm CSD17522Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 8,1 mOhm CSD17527Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm CSD17551Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17570Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 0,92 mOhm CSD17571Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,45 mOhm CSD17575Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 3,2 mOhm CSD17576Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm CSD17577Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD17578Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm CSD17578Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm CSD17581Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm CSD17585F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección con CSD18501Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 7 mOhm CSD18504Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 1,7 mOhm CSD18510KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, D2PAK simple, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 2,6 mOhm CSD18511KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, D2PAK simple, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 2 mOhm CSD18535KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, D2PAK simple, 2 mOhm CSD18536KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 1,6 mOhm CSD18536KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, D2PAK simple, 1,6 mOhm CSD18537NKCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 14 mOhm CSD18537NQ5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD18541F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, LGA simple de 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, protección con CSD18542KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 4 mOhm CSD18542KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, D2PAK simple, 4 mOhm CSD18543Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm CSD18563Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD19501KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, TO-220 simple, 6,6 mOhm CSD19502Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm CSD19503KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, TO-220 simple, 9,2 mOhm CSD19505KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, TO-220 simple, 3,1 mOhm CSD19505KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, D2PAK simple, 3,1 mOhm CSD19506KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, TO-220 simple, 2,3 mOhm CSD19506KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, D2PAK simple, 2,3 mOhm CSD19531KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, D2PAK simple, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 3,6 mOhm CSD19535KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, D2PAK simple, 3,4 mOhm CSD19536KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 2,7 mOhm CSD19536KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, D2PAK simple, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD22202W15 — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 12,2 mOhm, protección c CSD22204W — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 9,9 mOhm, protección co CSD22205L — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, LGA simple de 1,2 mm x 1,2 mm, 9,9 mOhm, protección co CSD22206W — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 5,7 mOhm, protección co CSD23202W10 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 53 mOhm, protección contra CSD23203W — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 19,4 mOhm, protección con CSD23280F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mOhm, protección c CSD23285F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mOhm, protección co CSD23381F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 175 mOhm, protección con CSD23382F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 76 mOhm, protección cont CSD25202W15 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1.5 mm x 1.5 mm, 26 mOhm, protección co CSD25211W1015 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección cont CSD25213W10 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, protección contra CSD25304W1015 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 32,5 mOhm CSD25310Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 2 mm x 2 mm, 23.9 mOhm CSD25402Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 3 mm x 3 mm, 8.9 mOhm CSD25404Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6.5 mOhm CSD25480F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, protección c CSD25481F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, protección con CSD25483F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 245 mOhm, protección con CSD25484F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, protección con CSD25485F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 42 mOhm, protección co CSD25501F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, protección co
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Modelo de simulación

CSD25310Q2 TINA-TI Spice Model

SLPM123.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
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Modelo de simulación

CSD25310Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM105B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Diseños de referencia

PMP9491 — Diseño de referencia de estéreo de audio/altavoz portátil con convertidor elevador eficiente

PMP9491 is a 30W highly efficient and compact Portable Speaker/Audio Boom Box reference Design which can be used in 15W +15W Stereo or 30W Woofer Applications. The Power Source for the Design is 1 or 2 Li ion in Series . The design is broadly divided into three main stages:
  1. Highly efficient (...)
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Diseños de referencia

TIDA-00466 — Diseño de referencia del sistema del sensor de proximidad capacitivo inmune al ruido

The FDC2214 proximity and capacitive sensing design demonstrates the use of TI's capacitive sensing technology to sense and detect the presence of various objects. The design is a complete hardware and firmware solution. The firmware  processes the data from one proximity sensor and two (...)
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TIDA-00757 — Diseño de referencia Smart Lock que permite una duración de la batería de más de 5 años en 4 batería

With the increasing number of building and home owners looking to retrofit smart locks (or electronic locks) to their building or home, wireless battery powered smart locks are becoming increasingly popular in today’s market.  In a smart lock application, the high current motor and (...)
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TIDA-01067 — Diseño de referencia de control inteligente del amortiguador con detección de presión, humedad y tem

This reference design is built to enable multiple room comfort control in connected heating, ventilation and air conditioning (HVAC). Sensing temperature, humidity and pressure allows independent monitoring and air-flow adjustment in each zone. This reference design converts a constant air (...)
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TIDA-00998 — Diseño de referencia del subsistema del indicador de falla y recolección de energía para los indicad

This reference design shows multiple architectures for extending primary battery life using a secondary battery or supercapacitor with energy harvested from a current transformer (CT) or solar cells. Optimal power management is done using efficient LED drivers to drive series or parallel (...)
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TIDA-050033 — Diseño de referencia de fuente de alimentación de reserva del módulo PLC para medidores inteligentes

The TIDA-050033 reference design demonstrates the backup power supply solution for smart meter PLC module. By using a cost-effective boost converter TLV61048, minimum operating voltage is extended to maximize super capacitor usage rate. Smaller size (lower capacitance) super capacitor could be (...)
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TIDA-01385 — Diseño de referencia de captación de energía del transformador de corriente con supercondensador par

Power management for the energy harvesting, energy buffering and back-up power is a key challenge in the fault indicator design. The TIDA-01385 introduces a circuit about harvesting energy from a current transformer for the system load of a fault indicator while storing the extra energy in a super (...)
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PMP4496 — Diseño de referencia de banco de alimentación DRP USB-C con entrada de cargador rápido

PMP4496 is a power bank reference design with a single USB type C dual role port (DRP). It can perform as a SINK or SOURCE. Role is automatically determined according to the external device attached. Fast charger input is also supported to save more charging time.
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PMP11536 — Diseño de referencia de banco de energía USB C DFP + 5V2A con cargador rápido de entrada

PMP11536 is a power bank reference design with a USB typc C DFP plus a USB type A port employing the boost mode of a Maxcharger. Fast charger input is also supported to save more charging time. It can detect the input port attach/detach events automatically, as well as the output ports.
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PMP9476 — Fuente de alimentación de arranque-parada de 15 W para automoción

PMP9476 is non-sync buck converter plus a non-sync boost controller accepts an input voltage of 3.5V to 40V, and outputs 5V, capable of providing 3A of current to the load.
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