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DRV8334

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Controlador de puerta trifásico de 60 V y 1,000 mA a 2,000 mA con detección precisa de corriente

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DRV8334

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Detalles del producto

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM, SPI Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, Phase Comparators, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM, SPI Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, Phase Comparators, SPI/I2C, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 125
HTQFP (PHP) 48 81 mm² 9 x 9
  • Three phase half-bridge gate driver
    • Drives six N-channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60-V wide operating voltage range
    • Bootstrap architecture for high-side gate driver
    • Strong GVDD charge pump to support up to 50mA average gate switching current enables driving 400nC MOSFETs at 20kHz
    • Trickle charge pump to support 100% PWM duty cycle and to generate overdrive supply to drive external cut-off or reverse polarity protection circuit
  • Smart Gate Drive architecture
    • 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000-mA (source / sink)
    • Three-step drive current configuration to optimize charge/discharge cycle and minimize deadtime
    • Closed-loop automatic deadtime insertion based on gate-source voltage monitoring
    • Configurable soft shutdown to minimize inductive voltage spikes during overcurrent shutdown
  • Low-side Current Sense Amplifier
    • Sub-1 mV low input offset across temperature
    • 9-level adjustable gain
  • SPI-based detailed configuration and diagnostics
  • DRVOFF pin to disable driver independently
  • High voltage wake up pin (nSLEEP)
  • 6x, 3x, 1x, and Independent PWM Modes
  • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs
  • Integrated protection features
    • Battery and power supply voltage monitors
    • Phase feedback comparator
    • MOSFET VDS and Rsense over current monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition indicator pin
  • Three phase half-bridge gate driver
    • Drives six N-channel MOSFETs (NMOS)
    • 4.5 to 60-V wide operating voltage range
    • Bootstrap architecture for high-side gate driver
    • Strong GVDD charge pump to support up to 50mA average gate switching current enables driving 400nC MOSFETs at 20kHz
    • Trickle charge pump to support 100% PWM duty cycle and to generate overdrive supply to drive external cut-off or reverse polarity protection circuit
  • Smart Gate Drive architecture
    • 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000-mA (source / sink)
    • Three-step drive current configuration to optimize charge/discharge cycle and minimize deadtime
    • Closed-loop automatic deadtime insertion based on gate-source voltage monitoring
    • Configurable soft shutdown to minimize inductive voltage spikes during overcurrent shutdown
  • Low-side Current Sense Amplifier
    • Sub-1 mV low input offset across temperature
    • 9-level adjustable gain
  • SPI-based detailed configuration and diagnostics
  • DRVOFF pin to disable driver independently
  • High voltage wake up pin (nSLEEP)
  • 6x, 3x, 1x, and Independent PWM Modes
  • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs
  • Integrated protection features
    • Battery and power supply voltage monitors
    • Phase feedback comparator
    • MOSFET VDS and Rsense over current monitors
    • MOSFET VGS gate fault monitors
    • Device thermal warning and shutdown
    • Fault condition indicator pin

The DRV8334 is an integrated smart gate driver for three-phase BLDC applications. The device provides three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8334 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and a GVDD charge pump. The Smart Gate Drive architecture supports configurable peak gate drive current from 0.7-mA up to 1-A source and 2-A sink. The DRV8334 can operate from a single power supply with a wide input range of 4.5 to 60-V. A trickle charge pump allows for the gate drivers to support 100% PWM duty cycle control, and provides overdrive gate drive voltage of external switches.

The DRV8334 provides low-side current sense amplifiers to support resistor based low-side current sensing. The low offset of the amplifiers enables the system to obtain precise motor current measurement.

A wide range of diagnostics and protection features integrated in the DRV8334 enable a robust motor drive system design and help eliminate the needs of external components. The highly configurable device response allows the device to be integrated seamlessly into a variety of system designs.

The DRV8334 is an integrated smart gate driver for three-phase BLDC applications. The device provides three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8334 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and a GVDD charge pump. The Smart Gate Drive architecture supports configurable peak gate drive current from 0.7-mA up to 1-A source and 2-A sink. The DRV8334 can operate from a single power supply with a wide input range of 4.5 to 60-V. A trickle charge pump allows for the gate drivers to support 100% PWM duty cycle control, and provides overdrive gate drive voltage of external switches.

The DRV8334 provides low-side current sense amplifiers to support resistor based low-side current sensing. The low offset of the amplifiers enables the system to obtain precise motor current measurement.

A wide range of diagnostics and protection features integrated in the DRV8334 enable a robust motor drive system design and help eliminate the needs of external components. The highly configurable device response allows the device to be integrated seamlessly into a variety of system designs.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet DRV8334 Three-Phase Smart Gate Driver with Accurate Current Sensing and Advanced Monitoring datasheet PDF | HTML 09 may 2023
EVM User's guide DRV8334 Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 15 nov 2023

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

DRV8334EVM — Módulo de evaluación DRV8334 para controlador de puerta trifásico

El módulo de evaluación (EVM) DRV8334 es una etapa de accionamiento de DC sin escobillas trifásica de 30 A basada en el controlador de puerta DRV8334 para motores de corriente continua sin escobillas (BLDC). El EVM permite evaluar rápidamente el dispositivo DRV8334, que hace girar un motor BLDC (...)
Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
GUI para el módulo de evaluación (EVM)

DRV8334EVM-SENSORED-TRAPEZOIDAL-GUI — DRV8334EVM GUI to support sensored trapezoidal motor control

DRV8334EVM GUI to support sensored trapezoidal motor control
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Herramienta de cálculo

BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
Productos y hardware compatibles

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Paquete Pasadores Descargar
HTQFP (PHP) 48 Ver opciones
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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