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DRV8353R

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Controlador de puerta inteligente trifásico de 102 V máx. con regulador reductor y amplificadores de

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DRV8353R

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Detalles del producto

Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Buck Step Down Converter, Current sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Buck Step Down Converter, Current sense Amplifier, Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RGZ) 48 49 mm² 7 x 7
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional integrated buck regulator
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated LM5008A buck regulator
    • 6 to 95-V operating voltage range
    • 2.5 to 75-V, 350-mA output capability
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)
  • 9 to 100-V, Triple half-bridge gate driver
    • Optional integrated buck regulator
    • Optional triple low-side current shunt amplifiers
  • Smart gate drive architecture
    • Adjustable slew rate control for EMI performance
    • VGS handshake and minimum dead-time insertion to prevent shoot-through
    • 50-mA to 1-A peak source current
    • 100-mA to 2-A peak sink current
    • dV/dt mitigation through strong pulldown
  • Integrated gate driver power supplies
    • High-side doubler charge pump For 100% PWM duty cycle control
    • Low-side linear regulator
  • Integrated LM5008A buck regulator
    • 6 to 95-V operating voltage range
    • 2.5 to 75-V, 350-mA output capability
  • Integrated triple current shunt amplifiers
    • Adjustable gain (5, 10, 20, 40 V/V)
    • Bidirectional or unidirectional support
  • 6x, 3x, 1x, and independent PWM modes
    • Supports 120° sensored operation
  • SPI or hardware interface available
  • Low-power sleep mode (20 µA at VVM = 48-V)
  • Integrated protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Gate drive supply undervoltage (GDUV)
    • MOSFET VDS overcurrent protection (OCP)
    • MOSFET shoot-through prevention
    • Gate driver fault (GDF)
    • Thermal warning and shutdown (OTW/OTSD)
    • Fault condition indicator (nFAULT)

The DRV835x family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. These applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal current control of BLDC motors. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes and a buck regulator to power the gate driver or external controller.

The DRV835x uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.

The DRV835x family of devices are highly-integrated gate drivers for three-phase brushless DC (BLDC) motor applications. These applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal current control of BLDC motors. The device variants provide optional integrated current shunt amplifiers to support different motor control schemes and a buck regulator to power the gate driver or external controller.

The DRV835x uses smart gate drive (SGD) architecture to decrease the number of external components that are typically necessary for MOSFET slew rate control and protection circuits. The SGD architecture also optimizes dead time to prevent shoot-through conditions, provides flexibility in decreasing electromagnetic interference (EMI) by MOSFET slew rate control, and protects against gate short circuit conditions through VGS monitors. A strong gate pulldown circuit helps prevent unwanted dV/dt parasitic gate turn on events

Various PWM control modes (6x, 3x, 1x, and independent) are supported for simple interfacing to the external controller. These modes can decrease the number of outputs required of the controller for the motor driver PWM control signals. This family of devices also includes 1x PWM mode for simple sensored trapezoidal control of a BLDC motor by using an internal block commutation table.
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Tipo Título Fecha
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DRV8353RH-EVM — Módulo de evaluación DRV8353RH para controlador de puerta inteligente CC sin escobillas y trifásico

The DRV8353RH-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RH gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

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DRV8353RS-EVM — Módulo de evaluación DRV8353RS para controlador de puerta inteligente CC sin escobillas y trifásico

The DRV8353RS-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RS gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

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MSP-MOTOR-CONTROL — MSP firmware solutions for motor control

MSP Motor Control is a collection of software, tools and examples to spin motors in 30 minutes or less with MSPM0 Arm® Cortex® M0+ MCUs and popular motor driver solutions.

MSP Motor Control provides examples for supported hardware kits to spin brushed, stepper, and three-phase motors with sensored (...)

Productos y hardware compatibles

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MSPM0G1105 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 KB de memoria Flash, 16 KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, amplifica MSPM0G1106 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 KB de memoria Flash, 32 KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, amplifica MSPM0G1107 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 KB de memoria Flash, 32 KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, amplific MSPM0G1505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32 KB de memoria Flash, 16 KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, DAC, 3 ×  MSPM0G1506 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 KB de memoria Flash, 32 KB de memoria SRAM MSPM0G1507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 KB de memoria Flash, 32 KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, DAC, 3 × MSPM0G3105 — 80 MHz Arm® M0+ MCU, 32KB de memoria Flash, 16KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, amplificad MSPM0G3106 — 80 MHz Arm® M0+ MCU, 64 KB de memoria Flash, 32 KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, amplific MSPM0G3107 — 80 MHz Arm® M0+ MCU, 128 KB de memoria Flash, 32 KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, amplifi MSPM0G3107-Q1 — Amplificador operacional CAN-FD con ADC de 12 bits y 4 Msps, SRAM de 32 KB, memoria Flash de 128 KB MSPM0G3505 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 32KB de memoria Flash, 16KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, DAC, 3 × CO MSPM0G3506 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 64 KB de memoria Flash, 32 KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, DAC, 3 ×  MSPM0G3507 — 80 MHz Arm M0+ MCU, 128 KB de memoria Flash, 32 KB de memoria SRAM, 2 × 12 bits 4 Msps ADC, DAC, 3 × MSPM0G3507-Q1 — Amplificador operacional MATHACL, CAN-FD, COMP, DAC, ADC de 12 bits, SRAM de 32 KB, memoria Flash de MSPM0L1303 — MCU Arm® Cortex®-M0+ de 32 MHz de memoria flash de 8 KB, 2 KB de SRAM, ADC de 12 bits, comparador, O MSPM0L1304 — MCU Arm® Cortex®-M0+ de 32 MHz de memoria flash de 16 KB, 2 KB de SRAM, ADC de 12 bits, comparador, MSPM0L1304-Q1 — Arm® Cortex®-M0+ de 32 Mhz para automoción con memoria flash de 16 KB, 2 KB de RAM, ADC de 12 bits, MSPM0L1305 — MCU Arm® Cortex®-M0+ de 32 MHz de memoria flash de 32 KB, 4 KB de SRAM, ADC de 12 bits, comparador, MSPM0L1305-Q1 — Arm® Cortex®-M0+ de 32 Mhz para automoción con memoria flash de 32 KB, 4 KB de RAM, ADC de 12 bits, MSPM0L1306 — MCU Arm® Cortex®-M0+ de 32 MHz de memoria flash de 64 KB, 4 KB de SRAM, ADC de 12 bits, comparador, MSPM0L1306-Q1 — Arm® Cortex®-M0+ de 32 Mhz para automoción con memoria flash de 64 KB, 4 KB de RAM, ADC de 12 bits, MSPM0L1343 — MCU Arm® Cortex®-M0+ de 32 MHz con memoria flash de 8 KB, 2 KB de SRAM, ADC de 12 bits, comparador, MSPM0L1344 — MCU Arm® Cortex®-M0+ de 32 MHz con memoria flash de 16 KB, 2 KB de SRAM, ADC de 12 bits, comparador, MSPM0L1345 — MCU Arm® Cortex®-M0+ de 32 MHz con memoria flash de 32 KB, 4 KB de SRAM, ADC de 12 bits, comparador, MSPM0L1346 — MCU Arm® Cortex®-M0+ de 32 MHz con memoria flash de 64 KB, 4 KB de SRAM, ADC de 12 bits, comparador,
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Paquete Pasadores Descargar
VQFN (RGZ) 48 Ver opciones
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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